[实用新型]场效应晶体管及装置

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，其特征在于：所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管包括半导体层，所述半导体层内分布有沟道区、源区以及漏区，所述源区、漏区分别与源极、漏极连接，所述栅极设于半导体层表面并位于沟道区上方。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述栅极为顶栅，并且所述场效应晶体管还包括用于调控沟道区的底栅，所述顶栅、底栅分别设置于所述沟道区的上方、下方。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述栅极为顶栅，并且所述场效应晶体管还包括用于调控沟道区的侧栅。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于：所述侧栅设置于顶栅的旁边且不在所述沟道区上；和/或，所述侧栅为两个以上；和/或，所述侧栅设于所述介质层上。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述沟道区的材质包括石墨烯、碳纳米管、氧化物半导体中的任意一种或两种以上的组合。

7.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述输出极的至少局部区域设于栅极正下方。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述输出极分布在偏离栅极正下方的其它区域内。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管为鳍式场效应晶体管，所述晶体管的输出极至少局部设于所述晶体管的鳍式沟道区内。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述输出极输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1，在沟道区截断时为逻辑0；或者，所述输出极输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑0，在沟道区截断时为逻辑1。

11.一种装置，其特征在于包含权利要求1-10中任一项所述场效应晶体管。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于包括数字电路或模拟电路，所述的数字电路或模拟电路包括所述的场效应晶体管。