[实用新型]开关模式电源控制器及开关模式电源有效

专利信息
申请号: 201820879813.6 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN208445481U 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: A·D·芬克尔;A·G·梅萨 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王琳;姚开丽
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关模式电源 导通时间控制电路 电流感测信号 峰值电流 锁存器 控制器 断开 响应 时间控制电路 反馈电压 频率降低 重置 调制 零电流检测信号 模式操作 驱动信号 阈值增加 输出端 锁存
【权利要求书】:

1.一种开关模式电源控制器,其特征在于,包括:

锁存器,所述锁存器具有用于提供驱动信号的输出端;

断开时间控制电路,所述断开时间控制电路以谷切换模式和频率降低模式操作,所述断开时间控制电路至少基于零电流检测信号来控制所述锁存器的断开时间;和

导通时间控制电路,所述导通时间控制电路用于响应于电流感测信号超过代表负载的反馈电压并且响应于所述电流感测信号超过峰值电流阈值来重置所述锁存器,

其中在所述频率降低模式中,所述导通时间控制电路通过将所述峰值电流阈值增加预定量来调制所述峰值电流阈值。

2.根据权利要求1所述的开关模式电源控制器,其中,进一步地,

在所述频率降低模式中,对于所述频率降低模式的所有反馈电压,所述导通时间控制电路通过将所述峰值电流阈值增加所述预定量来调制所述峰值电流阈值。

3.根据权利要求1所述的开关模式电源控制器,其中,进一步地,

在所述谷切换模式中,所述导通时间控制电路保持所述峰值电流阈值等于峰值电流基值;并且

在所述频率降低模式中,所述导通时间控制电路通过以下方式来调制所述峰值电流阈值:当从所述谷切换模式变为所述频率降低模式时将所述峰值电流阈值增加所述预定量,并且将所述峰值电流阈值降低至所述峰值电流基值加上所述预定量和所述峰值电流基值之间。

4.根据权利要求1所述的开关模式电源控制器,其中,所述开关模式电源控制器还包括:

模式控制电路,所述模式控制电路具有用于接收反馈信号的输入端,以及用于响应于所述反馈信号在第一电压和第二电压之间来提供频率降低模式信号的输出端。

5.根据权利要求4所述的开关模式电源控制器,其中,所述导通时间控制电路包括:

脉冲宽度调制器PWM比较器,所述PWM比较器具有用于接收所述电流感测信号的正输入端,用于接收所述反馈电压的负输入端,以及输出端;

峰值电流比较器,所述峰值电流比较器具有用于接收所述电流感测信号的正输入端,用于接收所述峰值电流阈值的负输入端,以及输出端;

与门,所述与门具有耦接到所述PWM比较器的所述输出端的第一输入端,耦接到所述峰值电流比较器的所述输出端的第二输入端,以及用于向所述锁存器提供锁存器断开信号的输出端;和

峰值电流调制器,所述峰值电流调制器具有用于接收频率降低模式信号的第一输入端,用于接收所述反馈信号的第二输入端,以及用于提供所述峰值电流阈值的输出端。

6.一种开关模式电源,其特征在于,包括:

变压器,所述变压器具有初级绕组、次级绕组和辅助绕组;

功率晶体管,所述功率晶体管具有耦接到所述初级绕组的第一电流电极,用于接收驱动信号的控制电极,以及第二电流电极;

电流感测元件,所述电流感测元件具有耦接到所述功率晶体管的所述第二电流电极的用于提供电流感测信号的第一端子,以及耦接到接地端子的第二电流电极;

输出电路,所述输出电路耦接到所述次级绕组以用于向负载提供调节的输出;

第一反馈电路,所述第一反馈电路耦接到所述变压器的所述辅助绕组以用于提供代表所述变压器的磁化状态的零电流检测信号;

第二反馈电路,所述第二反馈电路耦接到所述输出电路以用于提供代表所述负载的反馈信号;和

开关模式电源控制器,所述开关模式电源控制器包括:

锁存器,所述锁存器具有用于提供所述驱动信号的输出端;

断开时间控制电路,所述断开时间控制电路以谷切换模式和频率降低模式操作,所述断开时间控制电路基于所述零电流检测信号来控制所述锁存器的断开时间;以及

导通时间控制电路,所述导通时间控制电路用于响应于所述电流感测信号超过代表所述负载的反馈电压并且响应于所述电流感测信号超过峰值电流阈值来重置所述锁存器,

其中在所述频率降低模式中,所述导通时间控制电路通过将所述峰值电流阈值增加预定量来调制所述峰值电流阈值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820879813.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top