[实用新型]一种InP基InAlAs-InGaAs啁啾超晶格结构有效
| 申请号： | 201820881077.8 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN208240685U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/205;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市苏州高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子 超晶格结构 本实用新型 低带隙材料 材料结构 交替生长 平滑过渡 固定的 界面处 输运 阻塞 递减 递增 | ||
【权利要求书】：
1.一种InP基InAlAs-InGaAs啁啾超晶格结构，其特征在于：在低带隙材料(1)和高带隙材料(3)之间插入由若干个周期生长而成的InAlAs/InGaAs啁啾超晶格(2)，InAlAs/InGaAs啁啾超晶格(2)的总厚度为200-600埃，InAlAs/InGaAs啁啾超晶格(2)由交替生长的InAlAs层和InGaAs层组成。
2.根据权利要求1所述的一种InP基InAlAs-InGaAs啁啾超晶格结构，其特征在于：InAlAs/InGaAs啁啾超晶格(2)包含10-20个周期。
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