[实用新型]一种三相降压型PFC整流电路

权利要求书

1.一种降压型PFC整流电路，其特征在于包括：

三相电压源电路，由三相互成120°的三个正弦电压源组成，三个正弦电压源的一端连在一起；

三相不控整流电路，包括并联的三条串联电路，每条串联电路包括两个二极管，三条串联电路与三相电压源电路的三相正弦电压源分别连接，接入点位于每条串联电路的两个二极管之间；

三相有源功率因数校正拓扑电路，输入端连接三相不控整流电路的并联两端；以及

有源三次谐波电流注入电路，包括晶闸管和RCD电路，输入端即三条串联电路与三相电压源电路的三相正弦电压源分别连接的接入点。

2.根据权利要求1所述的降压型PFC整流电路，其特征在于：所述三相不控整流电路每条串联电路上的两个二极管其中一个二极管的阳极与另一个二极管的阴极相连，所述三条串联电路阴极与阴极相连、阳极与阳极相连。

3.根据权利要求1所述的降压型PFC整流电路，其特征在于：所述三相有源功率因数校正拓扑电路为两个对称的buck电路。

4.根据权利要求3所述的降压型PFC整流电路，其特征在于：所述buck电路其中一个buck电路包括电容C1、功率开关管Q1和Q3、二极管D13、电感L1；第二个buck电路包括电容C1、功率开关管Q2和Q3、二极管D13、电感L2、电容C1；Q1的集电极与三相不控整流电路2的共阴极相连，Q1的发射极与D13的阴极和Q3的集电极相连，Q3的发射极与电感L1的一端相连，电感L1的另一端和电容C1正极相连，Q2的发射极与三相不控整流电路2的共阳极相连，Q2的集电极与D13的阳极和L2的一端相连，L2的另一端与C1 的负极相连。

5.根据权利要求1所述的降压型PFC整流电路，其特征在于：所述有源三次谐波电流注入电路包括晶闸管Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9和RCD电路，所述RCD电路包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、电容C2、C3、C4、C5、C6、C7、D7以及二极管D8、D9、D10、D11、D12；其中Q4的阳极与C2的阴极和第一条串联电路的中点相连，Q4的阴级、D7的阴极与R1的一端和D13的阴极相连，Q5的阳极与C3的阴极和第二条串联电路的中点相连，Q5的阴级、D8的阴极与R2的一端和D13的阴极相连，Q6的阳极与C4的阴极和第三条串联电路的中点相连，Q6的阴级、D9的阴极与R3的一端和D13的阴极相连，Q7的阳极与C5的阴极和第一条串联电路的中点相连，Q7的阴级、D10的阴极与R4的一端和D13的阳极相连，Q8的阳极与C6的阴极和第二条串联电路的中点相连，Q8的阴级、D11的阴极与R5的一端和D13的阳极相连，Q9的阳极与C7的阴极和第三条串联电路的中点相连，Q8的阴级、D12的阴极与R6的一端和D13的阳极相连。

6.根据权利要求4所述的降压型PFC整流电路，其特征在于：所述功率开关管Q₁、Q₂、Q₃为MOSFET或IGBT，Q₄、Q₅、Q₆、Q₇、Q₈、Q₉为晶闸管。