[实用新型]一种ITO导电膜玻璃有效
| 申请号： | 201820913669.3 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN209024413U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李伟明 | 申请（专利权）人： | 汕头市东通光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 刘艳玲 |
| 地址： | 515000 广东省汕头市濠江区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低电阻材料 玻璃 沉积 本实用新型 玻璃基片 电阻 氮化硅沉积 玻璃基板 导电能力 低电阻层 底板玻璃 电子运动 有效电流 导电膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的ITO导电膜玻璃包括：玻璃基片(1)、氮化硅沉积层(2)、第一低电阻材料层(3)、第一ITO导电膜层(4)、第二低电阻材料层(5)和第二ITO导电膜层(6)；
所述的第一低电阻材料层形貌为方形网格状；
所述的第二低电阻材料层形貌为圆形网格状。
2.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的玻璃基片为普通玻璃、白玻璃和钢化玻璃中的一种，所述的玻璃基片的沉积面为用机器或砂纸进行打磨使其表面分布有凹凸有致的小孔，小孔孔径为30～500nm，小孔数量不少于8个。
3.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的氮化硅沉积层可以为单层或多层沉积；所述的氮化硅沉积层的厚度在20nm～60nm。
4.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的第一低电阻材料层材料为铜、铝、钨或银中的一种。
5.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的ITO导电膜的厚度为5nm～30nm。
6.根据权利要求1所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的第二低电阻材料层材料为铝、铜和银中的一种。
7.根据权利要求4或6所述的ITO导电膜玻璃，其特征在于，所述的第一低电阻材料层和第二低电阻材料层的厚度为1nm～15nm。
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