[实用新型]一种解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统有效
| 申请号： | 201820914804.6 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN208638735U | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘建新;何召兵;沈宜;刘昀鑫 | 申请（专利权）人： | 成都三零凯天通信实业有限公司 |
| 主分类号： | H05B1/02 | 分类号： | H05B1/02;H05B3/14 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 加热 温度采集单元 本实用新型 电源单元 加热单元 加热系统 整体加热 大功率加热 持续加热 单元连接 低温条件 电路设计 加热过程 快速加热 停止加热 传统的 功耗 节约 | ||
1.一种解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，包括：电源单元、DCDC单元、控制单元、加热单元及温度采集单元，所述DCDC单元与电源单元连接，所述控制单元、加热单元及温度采集单元分别与所述DCDC单元连接。
2.如权利要求1所述的解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，所述加热单元包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、NPN型三极管、P沟道MOS管及发热材料，所述第一电阻与所述控制单元的信号输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述NPN型三极管的基极连接，所述NPN型三极管的发射极与地线连接，所述NPN型三极管与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述P沟道MOS管的栅极连接，所述第三电阻的第一端与所述第一电容的第一端分别与所述P沟道MOS管的源极连接，所述第三电阻的第二端与所述第一电容的第二端分别与所述第二电容的第一端及第三电容的第一端连接，所述第二电容的第一端及第三电容的第一端与+5V直流电源连接，所述第二电容的第二端及第三电容的第二端分别与地线连接，所述P沟道MOS管的漏极与所述发热材料的第一端连接，所述发热材料的第二端与地线连接。
3.如权利要求2所述的解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，所述发热材料为PI聚酰亚胺电热膜。
4.如权利要求2所述的解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，所述NPN型三极管的型号为LMBT3904LT1G。
5.如权利要求2所述的解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，所述P沟道MOS管及发热材料的型号为LP2301LT1G。
6.如权利要求1所述的解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，所述控制单元为MCU微控制器。
7.如权利要求1所述的解决芯片在低温下无法正常工作的加热系统，其特征在于，所述温度采集单元包括LM35温度检测器。
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