[实用新型]一种外延生长用的设备有效
申请号: | 201820915500.1 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN208440727U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 陈奉顺;黄文嘉;彭伟伦;洪伟;张中英;李明照;张瑞龙 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | C30B25/14 | 分类号: | C30B25/14;C30B25/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 出气管路 外延生长 进气管路 石墨盘 反应腔室压力 外延生长晶片 本实用新型 承载晶片 反应气体 反应腔室 反应腔 可调控 蝶阀 阀门 尾气 承载 室内 | ||
1.一种外延生长用的设备,用于MOCVD外延生长,设备包括用于承载晶片的石墨盘、进气管路、出气管路以及位于进气管路和出气管路之间的反应腔室,外延生长时,进气管路提供反应气体,出气管路排除尾气,石墨盘位于反应腔室内,用于承载外延生长晶片,其特征在于,出气管路具有一个或者多个可调控反应腔室压力的蝶阀。
2.根据权利要求1所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,进气管路与出气管路位于石墨盘的左右或者上下两侧。
3.根据权利要求2所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,进气管路与出气管路相对石墨盘对称设置。
4.根据权利要求1到3中任意一项所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,进气管路与石墨盘之间设置有匀气装置。
5.根据权利要求4所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,匀气装置表面具有均匀分布的孔洞。
6.根据权利要求5所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,匀气装置的孔洞关于石墨盘表面均匀分布。
7.根据权利要求1所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,进气管路提供的进气包括大分子气体。
8.根据权利要求1所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,进气管路提供的进气的成分包括氯气或/和氯化氢。
9.根据权利要求1所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,设备具有控制器,控制器用于调整蝶阀开启角度。
10.根据权利要求1所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,反应腔室内具有气压感应器。
11.根据权利要求1所述的一种外延生长用的设备,其特征在于,多个蝶阀为串联或者并联设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司,未经厦门三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820915500.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多点支撑的单晶炉坩埚杆
- 下一篇:半导体单晶炉