[实用新型]掩模版

说明书

本实用新型涉及一种掩模版，包括光刻掩模图案，具有关键图案，关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区；光刻掩模图案划分为多个区块，关键图案所在的区块对应的光刻掩模图案的边界作为主要边界；光刻掩模图案除主要边界之外的边界作为次要边界；辅助图案，包括第一优先子图案，第一优先子图案设置在邻近主要边界的区域中，第一优先子图案用于优化关键图案和主要边界在光刻过程中的工艺窗口。本实用新型能够保证在所有关键图案的周围均设置有辅助图案，提高了关键图案的工艺窗口，关键图案能够准确完整的转印到光刻胶上。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种掩模版。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体器件的关键尺寸越来越小，甚至小于光刻所用的光波波长。因此使得将掩模版上的图案光刻到晶圆的光刻胶上时会产生光学邻近效应，使得光刻胶上实际的图案与掩模版上的图案存在变形和偏差。为了克服上述问题，现有技术通过光学邻近矫正和设置辅助图案的方式进行改善。但是由于掩模版上的图案形状和设置规则的限制，使得关键掩模图案周围缺少辅助图案，从而并没有有效解决光学邻近效应的问题，并且降低了半导体器件的性能。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例希望提供一种掩模版，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，至少提供一种有益的选择。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

根据本实用新型的一个实施例，提供一种掩模版，包括：

光刻掩模图案，具有关键图案，所述关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区；所述光刻掩模图案划分为多个区块，所述关键图案所在的所述区块对应的所述光刻掩模图案的边界作为主要边界；所述光刻掩模图案除所述主要边界之外的边界作为次要边界；以及

辅助图案，包括第一优先子图案，所述第一优先子图案设置在邻近所述主要边界的区域中，所述第一优先子图案用于优化所述关键图案和所述主要边界在光刻过程中的工艺窗口。

在一些实施例中，所述辅助图案还包括第二优先子图案，所述第二优先子图案设置在邻近所述次要边界的区域中；

其中，所述第二优先子图案的设置不干扰所述第一优先子图案的设置。

在一些实施例中，所述第一优先子图案与所述主要边界之间的间隙距离小于所述第二优先子图案的端部至所述主要边界的距离。

在一些实施例中，相邻的两所述主要边界之间的区域中设置至少一个所述第一优先子图案，且所述第一优先子图案位于两所述主要边界之间的区域中间位置。

在一些实施例中，所述辅助图案采用矩形结构。

在一些实施例中，所述辅助图案包含散射条。

在一些实施例中，所述辅助图案的分辨率低于所述光刻掩模图案的分辨率。

本实用新型实施例由于采用以上技术方案，其具有以下优点：本实用新型方法能够保证在所有关键图案的周围均设置有辅助图案，提高了关键图案的工艺窗口，在光刻时关键图案能够准确完整的转印到晶圆的光刻胶上。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本实用新型进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本实用新型公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本实用新型范围的限制。