[实用新型]高集成智能功率模块及空调器

权利要求书

1.一种高集成智能功率模块，其特征在于，所述高集成智能功率模块包括：

第一散热基板；

电路布线层，设置于所述第一散热基板的一侧表面，所述电路布线层具有供所述高集成智能功率模块的电子元件安装的安装位；

PFC功率开关模块、压缩机IPM模块及风机IPM模块；所述PFC功率开关模块、所述压缩机IPM模块及所述风机IPM模块设置于对应的所述电路布线层的安装位上；其中，

所述PFC功率开关模块、所述压缩机IPM模块及所述风机IPM模块通过所述电路布线层依次连接。

2.如权利要求1所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述压缩机IPM模块包括压缩机功率驱动芯片及多个第一功率开关管，所述压缩机功率驱动芯片的多个输出端与多个所述第一功率开关管的受控端一一对应连接；其中，

所述第一功率开关管，为SiC型IGBT，或者SiC型MOSFET，或者GaN型HEMT。

3.如权利要求2所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述压缩机IPM模块还包括多个第一二极管，多个所述第一二极管的数量及位置与所述第一功率开关管对应设置；其中，

所述第一二极管，为快速恢复二极管，或者肖特基二极管。

4.如权利要求1所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述风机IPM模块包括风机功率驱动芯片及多个第二功率开关管，所述风机功率驱动芯片的多个输出端与多个所述第二功率开关管的受控端一一对应连接；其中，

所述第二功率开关管，为逆导型IGBT。

5.如权利要求1所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述PFC功率开关模块包括PFC功率开关、PFC功率驱动芯片及第二二极管，所述PFC功率驱动芯片的输出端与所述PFC功率开关的受控端连接，所述PFC功率开关的输入端用于接入外部电感，并与所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极分别与所述压缩机IPM模块的及所述风机IPM模块连接；其中，

所述PFC功率开关，为SiC型IGBT，或者SiC型MOSFET，或者GaN型HEMT；

所述第二二极管，为快速恢复二极管，或者肖特基二极管。

6.如权利要求1至5任意一项所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述高集成智能功率模块还包括用于对所述第一散热基板、所述PFC功率开关模块、所述压缩机IPM模块及所述风机IPM模块进行封装的高导热封装壳体。

7.如权利要求6所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述高集成智能功率模块还包括第二散热基板，所述第二散热基板设置于所述第一散热基板设有所述PFC功率开关模块、所述压缩机IPM模块及所述风机IPM模块的一侧。

8.如权利要求7所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述第一散热基板200处于所述高导热封装壳体内部或者至少部分显露于高导热封装壳体外，

和/或，

所述第二散热基板处于所述高导热封装壳体内部或者至少部分显露于高导热封装壳体外。

9.如权利要求8所述的高集成智能功率模块，其特征在于，所述第二散热基板背离所述第一散热基板的一侧设置有多个散热部；

所述散热部的横截面积自靠近所述第二散热基板的一端向该散热部远离所述第二散热基板的一端递减；

所述散热部呈齿状设置。

10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的高集成智能功率模块。