[实用新型]一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构

说明书

本实用新型公开了一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构，包括：在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片上涂覆有氧化铟锡薄膜层，氧化铟锡薄膜层的厚度为160‑170nm。通过上述方式，本实用新型能够抵御外来的电磁干扰，能够抗50000V电磁脉冲，从而符合GJB1389A‑2005系统电磁兼容性要求。

技术领域

本实用新型涉及光学、电子领域，特别是涉及一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构。

背景技术

之前多数军用光电产品都没有对抗电磁辐射提出要求，特别是抗电磁脉冲要求。而GJB1389A-2005系统电磁兼容性要求明确了这方面的要求，光电产品需要通过抗50000V电磁脉冲实验，之前的光电产品很容易让高压脉冲通过光学窗口到达内部电路，对内部电路造成干扰甚至损毁。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种符合GJB1389A-2005电磁兼容性要求，能够抗50000V电磁脉冲的新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构，包括：在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片上涂覆有氧化铟锡薄膜层，氧化铟锡薄膜层的厚度为160-170nm。

在本实用新型一个较佳实施例中，光学窗口镜片的透过率保持在85%-90%之间。

在本实用新型一个较佳实施例中，该屏蔽结构设于光电仪器中，成为完全导通的等势体。

在本实用新型一个较佳实施例中，该屏蔽结构能够抵抗50000V电磁脉冲。

本实用新型的有益效果是：本实用新型能够抵御外来的电磁干扰，能够抗50000V电磁脉冲，从而符合GJB1389A-2005系统电磁兼容性要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1是本实用新型抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构一较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例包括：

一种新型的抗电磁辐射光学薄膜屏蔽结构，包括：在容易造成电磁侵入的光学窗口镜片1上通过光学真空离子辅助镀膜的技术镀上一层有氧化铟锡薄膜层2。

通过实时石英监控控制膜层的厚度，氧化铟锡薄膜层2的最终厚度为160-170nm。本实用新型优选的厚度是163nm。

通过实时光学窗口镜片1的透过率来对膜层厚度进行微调，使得光学窗口不但具有较高的透过率，透过率保持在85%-90%之间，不影响产品的光学应用。

该屏蔽结构设于光电仪器中，具有良好的导电性能（间距30mm两点间测量40欧左右），通过金属密封圈装配后使其与整个机壳成为一个完全导通的等势体。

该屏蔽结构能够抵抗50000V电磁脉冲，符合GJB1389A-2005系统电磁兼容性要求。

导电性测试情况及透过率测试可得光波段透过率平均约88%。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。