[实用新型]一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置有效
| 申请号： | 201820931453.X | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208293118U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 廖弘基;张洁;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 石墨坩埚 单晶生长装置 可重复 石墨盖 籽晶片 下端 旋接 本实用新型 碳化硅单晶 碳化硅结晶 碳化硅晶体 多次重复 使用寿命 粘合固定 整体成本 中央设置 低温区 分离槽 相接处 上端 附着 沉积 取出 生长 | ||
1.一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)，其特征在于：所述石墨坩埚(1)的上端设置有坩埚环(2)，坩埚环(2)与石墨坩埚(1)紧密旋接固定；所述石墨坩埚(1)的顶端设置有石墨盖(3)，石墨盖(3)与坩埚环(2)连接；所述石墨盖(3)的下端中央设置有籽晶片(4)，籽晶片(4)的下端设置有生长结晶的碳化硅单晶(5)，籽晶片(4)与石墨盖(3)的下端粘合固定；所述石墨坩埚(1)的外侧包裹有外侧石墨软毡保温层(6)，石墨坩埚(1)的底部包裹有底部石墨软毡保温层(7)，石墨坩埚(1)的上部包裹有上部石墨软毡保温层(8)；所述上部石墨软毡保温层(8)的中央开设有测温孔(9)；所述石墨坩埚(1)的最外层设置有感应线圈(10)，感应线圈(10)分布在石墨坩埚(1)的外侧周围。
2.根据权利要求1所述的一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，其特征在于：所述石墨坩埚(1)的厚度为5-20mm，石墨坩埚(1)的材质采用灰分小于5ppm的石墨，表面涂布有一层碳化钽、碳化铌或碳化钨。
3.根据权利要求1所述的一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，其特征在于：所述石墨坩埚(1)内放置有纯度为5N-6N的碳化硅粉末(11)。
4.根据权利要求1所述的一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，其特征在于：所述坩埚环(2)的高度为20-50mm，坩埚环(2)的厚度与石墨坩埚(1)的厚度相同，坩埚环(2)的两侧均开设有分离槽(12)。
5.根据权利要求1所述的一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，其特征在于：所述外侧石墨软毡保温层(6)、底部石墨软毡保温层(7)和上部石墨软毡保温层(8)的层数为1-4层，厚度为5-10mm。
6.根据权利要求1所述的一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置，其特征在于：所述测温孔(9)的直径为10～30mm的圆形。
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