[实用新型]一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构有效
| 申请号： | 201820932767.1 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208501093U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 左浩;李升;刘宏明 | 申请（专利权）人： | 西安碳星半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 刘晓晖 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市国家民用航天产*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硬质合金层 金刚石层 沉积 过渡层 金刚石薄膜 均衡 金属基座 膜结构 光洁度 本实用新型 附着力强 耐腐蚀 同侧 | ||
【权利要求书】：
1.一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构，其结构包括金属基座(1)、第一金刚石层(2)、第一硬质合金层(3)、第二硬质合金层(4)、过渡层(5)和第二金刚石层(6)，其特征在于：所述第一金刚石层(2)沉积于金属基座(1)上，所述第一硬质合金层(3)沉积于第一金刚石层(2)上，所述第二硬质合金层(4)沉积于第一硬质合金层(3)上，所述过渡层(5)沉积于第二硬质合金层(4)上，所述第二金刚石层(6)沉积于过渡层(5)上。
2.根据权利要求1所述的一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构，其特征在于：所述第一硬质合金层(3)为钨钴合金材质。
3.根据权利要求1所述的一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构，其特征在于：所述第二硬质合金层(4)为钨钛钽合金材质。
4.根据权利要求1所述的一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构，其特征在于：所述过渡层(5)为氮化硅材质。
5.根据权利要求1所述的一种利于均衡金刚石薄膜内应力的膜结构，其特征在于：所述第一金刚石层(2)的厚度为0.6-1.5mm，所述第二金刚石层(6)的厚度为0.7-1.2mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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