[实用新型]一种碳化硅晶体切割改善装置

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅晶体切割改善装置，包括载台底座、载台机构、升降机构、工作台面、固定座、第一支撑柱、第二支撑柱、切割线、支撑柱、机身、压头、主轴机构、顶座，所述载台底座的上方连接有载台机构，载台机构的侧边连接有升降机构，载台机构的上方设置有工作台面，工作台面的上方设置有固定座、第一支撑柱和第二支撑柱，本实用新型碳化硅晶体切割改善装置，采用纳米压痕器，依照不同的尺寸与形状需求进行压痕，使切割线能在切割过程中磨料透过不同压痕沟槽均匀分布，避免造成颗粒集中或磨屑无法排出而影响切割品质，或是造成断线，降低晶片在切割过程造成的损伤，减少后段加工的程序，最终达到切割后晶片技术要求。

技术领域

本实用新型涉及切割机械技术领域，具体为一种碳化硅晶体切割改善装置。

背景技术

碳化硅半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料发展起来的第三代宽带隙半导体材料，是第三代半导体材料的核心之一,具有禁带宽度大(2.2一3.3ev)，热导率高、电子饱和漂移速率大(2一2.5cm/s)、临界击穿电场高(1.5一3.2x106v/cm)和相对介电常数低(9.7一10)等特点。因而被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件。

目前晶体切割工艺是从长晶后的第一道加工工艺，部分参数也决定对整个晶圆后段加工的结果，现行在碳化硅切割上主流分2种，一是游离浆料的切割，对硬脆材料多数采取此方式切割，二是钻石线切割，这也是在蓝宝石大量使用的切割方式。不论使用哪一种切割方式最终都是需要有效率，低成本，又可以达到规格要求。现有技术以碳化硅为例，现在主要的切割方式有2种，使用游离磨料进行切割，但是由于材料特性，依4寸晶体为例要切约60小时，效率慢，产能也小，磨料在切割过程更是不均匀分散，造成切割品质也无法稳定。使用钻石线切割，此方法比游离切割快速，产能达，但是线损大，损伤深度深，对后段加工需移除多的材料，成本高。现行在碳化硅等硬脆材料上的切割很难将切割后晶片品质维持在Bow<20um与Warp<30um，只能透过有限的参数调整来改善切割品质与效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅晶体切割改善装置，具备使用方便，方便携带，能发热，内设磁石和药包，更好的保护腰脊椎，放松肌肉，辅助治疗，达到更好的治疗效果的特点，解决了现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种碳化硅晶体切割改善装置，包括载台底座、载台机构、升降机构、工作台面、固定座、第一支撑柱、第二支撑柱、切割线、支撑柱、机身、压头、主轴机构、顶座，所述载台底座的顶端连接有载台机构，载台机构的侧边顶端连接有升降机构，所述载台机构的上方面板上连接有工作台面，工作台面的面板上设置有固定座、支撑柱、第一支撑柱和第二支撑柱，固定座和第一支撑柱安装于工作台面的一端，工作台面的另一端连接有第二支撑柱，第二支撑柱的一端连接有切割线，切割线的另一端连接有第一支撑柱，所述工作台面的后侧连接有支撑柱，支撑柱的上方连接有机身，机身的前侧面板上安装有主轴机构，主轴机构底端的下方连接有压头，压头安装于切割线的上方。

优选的，所述切割线上开设有纳米压痕，纳米压痕有两种，一种为三个U型压痕分局分布，另一种为一个凹槽状，且形状可调整。

优选的，所述支撑柱与机身和工作台面为固定连接。

优选的，所述主轴机构与机身为活动连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：