[实用新型]像素电路及图像传感器装置有效

专利信息
申请号: 201820949909.5 申请日: 2018-06-20
公开(公告)号: CN208227176U 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 王欣;高哲;石文杰;任冠京;邵泽旭;徐辰 申请(专利权)人: 上海晔芯电子科技有限公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/374
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传输晶体管 像素电路 转换增益 传输支路 图像传感器装置 本实用新型 输出单元 高转换 晶体管 行选择晶体管 放大晶体管 复位晶体管 光电二极管 依次连接 防溢出 电容
【权利要求书】:

1.一种像素电路,采用多个传输晶体管,其特征在于,所述像素电路包括:

复位晶体管,其漏极连接第一电压源;

双转换增益晶体管,连接在所述复位晶体管和浮动扩散点之间;

电容,连接在所述复位晶体管和所述双转换增益晶体管之间;

光电二极管,用于在光电效应中将光转变成电子;

高转换增益传输晶体管,连接在所述光电二极管和所述浮动扩散点之间;

一个或多个低转换增益传输晶体管,形成一个或多个传输支路,所述一个或多个传输支路分别连接到所述光电二极管;及

输出单元,所述输出单元包括放大晶体管和行选择晶体管,将所述像素电路信号输出至列线。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括一防溢出晶体管,所述防溢出晶体管连接到所述光电二极管。

3.根据权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述多个低转换增益传输晶体管设置于同一传输支路,或分别设置于不同的传输支路。

4.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述防溢出晶体管连接到所述第一电压源,或连接到独立的第二电压源。

5.根据权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述输出单元的放大晶体管为源极跟随晶体管。

6.根据权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,所述电容为器件电容或所述复位晶体管和所述双转换增益晶体管的连接点对地的寄生电容。

7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述器件电容的一极连接到指定电压或接地。

8.一种图像传感器装置,所述图像传感器装置包括排成行和列的多个像素电路构成的阵列,其特征在于,所述像素电路包括:

复位晶体管,其漏极连接第一电压源;

双转换增益晶体管,连接在所述复位晶体管和浮动扩散点之间;

电容,连接在所述复位晶体管和所述双转换增益晶体管之间;

光电二极管,用于在光电效应中将光转变成电子;

高转换增益传输晶体管,连接在所述光电二极管和所述浮动扩散点之间;

一个或多个低转换增益传输晶体管,形成一个或多个传输支路,所述一个或多个传输支路分别连接到所述光电二极管;

输出单元,所述输出单元包括放大晶体管和行选择晶体管,将所述像素电路信号输出至列线;及

外围电路,对所述像素电路进行控制和处理。

9.根据权利要求8所述的图像传感器装置,其特征在于,所述像素电路还包括一防溢出晶体管,所述防溢出晶体管连接到所述光电二极管。

10.根据权利要求8或9所述的图像传感器装置,其特征在于,所述多个低转换增益传输晶体管设置于同一传输支路,或分别设置于不同的传输支路。

11.根据权利要求9所述的图像传感器装置,其特征在于,所述防溢出晶体管连接到所述第一电压源,或连接到独立的第二电压源。

12.根据权利要求8或9所述的图像传感器装置,其特征在于,所述输出单元的放大晶体管为源极跟随晶体管。

13.根据权利要求8或9所述的图像传感器装置,其特征在于,所述电容为器件电容或所述复位晶体管和所述双转换增益晶体管的连接点对地的寄生电容。

14.根据权利要求13所述的图像传感器装置,所述器件电容的一极连接到指定电压或接地。

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