[实用新型]刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构有效
| 申请号： | 201820958901.5 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN208240630U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 郭金城 | 申请（专利权）人： | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 郑云 |
| 地址： | 213161 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 滚轮 水膜 滚轮结构 进槽端 爬坡 输送组件 刻蚀槽 本实用新型 传动连接 硅片扩散 硅片输送 滚轮轴线 机架转动 依次设置 出水量 水稀释 电机 平行 | ||
1.一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：包括机架(1)以及设于机架(1)上的多个输送组件，多个所述输送组件沿硅片输送方向依次设置，所述输送组件包括第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)均与所述机架(1)转动连接，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)上传动连接有电机，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)轴线平行，所述第一滚轮(2)和第三滚轮(4)高度相同，所述第二滚轮(3)设于所述第一滚轮(2)和第三滚轮(4)之间且所述第二滚轮(3)略高于所述第一滚轮(2)和第三滚轮(4)。
2.如权利要求1所述的刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：所述第一滚轮(2)与第二滚轮(3)之间设有多个支撑辊(5)，所述支撑辊(5)与支架转动连接，所述支撑辊(5)轴线与所述第一滚轮(2)和第二滚轮(3)轴线在同一平面上。
3.如权利要求1所述的刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：所述第二滚轮(3)与第三滚轮(4)之间设有多个支撑辊(5)，所述支撑辊(5)与支架转动连接，所述支撑辊(5)轴线与所述第二滚轮(3)和第三滚轮(4)轴线在同一平面上。
4.如权利要求1-3任一项所述的刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)上间隔设置有多个限位环(6)，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)结构相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
