[实用新型]一种电池组件封装结构及电池组件有效
| 申请号： | 201820959574.5 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208722892U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张雨;张鹏举 | 申请（专利权）人： | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 101407 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池组件封装 基板 挡墙结构 光电器件 电池组件 封装盖板 垂直投影 水汽 本实用新型 侵蚀 上表面 覆盖 侧面 保证 | ||
1.一种电池组件封装结构，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的光电器件和挡墙结构，所述挡墙结构围绕所述光电器件设置；
位于所述基板上的封装盖板，所述封装盖板覆盖所述光电器件的上表面，且所述封装盖板在所述基板上的垂直投影覆盖所述挡墙结构在所述基板上的垂直投影。
2.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，所述挡墙结构为包括第一有机材料层和第一无机材料层的叠层结构；
其中，所述挡墙结构中，靠近所述光电器件一侧的膜层为第一有机材料层，远离所述光电器件一侧的膜层为第一无机材料层。
3.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，沿垂直所述基板的方向上，所述挡墙结构的厚度大于或者等于所述光电器件的厚度。
4.根据权利要求3所述的电池组件封装结构，其特征在于，沿垂直所述基板的方向上，所述挡墙结构的厚度为L1，其中
5.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，所述挡墙结构的材料包括SiNx、SiOx、SiOxNy、TiOx以及AlxOy中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，所述挡墙结构的制备工艺包括等离子体增强化学气相沉积以及原子层沉积中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，所述封装盖板位于所述光电器件和所述挡墙结构远离所述基板的一侧。
8.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，所述封装盖板包括位于所述光电器件和所述挡墙结构远离所述基板一侧的第一封装部分和位于所述挡墙结构远离所述光电器件一侧的第二封装部分。
9.根据权利要求1所述的电池组件封装结构，其特征在于，还包括阻隔层；
所述阻隔层位于所述基板与所述光电器件之间。
10.根据权利要求9所述的电池组件封装结构，其特征在于，所述阻隔层为包括第二有机材料层和第二无机材料层的叠层结构；
沿垂直所述基板的方向上，所述第二有机材料层的厚度为L2，其中，2μm≤L2≤5μm；
沿垂直所述基板的方向上，所述第二无机材料层的厚度为L3，其中，
11.一种电池组件，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的电池组件封装结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
