[实用新型]研磨模块及包括其的基板研磨装置

说明书

公开一种研磨模块及包括其的基板研磨装置，其通过研磨模块向基板供给研磨液。基板研磨装置包括：研磨垫，其设置于基板上部，与所述基板相接触并研磨所述基板；基底部件，其下侧设置有所述研磨垫；驱动轴，其设置于所述基底部件的上部；流体供给部，其设置于所述驱动轴，通过所述驱动轴供给加压所述研磨垫的流体；以及研磨液供给部，其在所述驱动轴通过与所述流体供给部不同的流路向基板的被研磨面供给研磨液。

技术领域

以下实施例涉及一种研磨模块及包括其的基板研磨装置。

背景技术

半导体元件的制造需要CMP(chemical mechanical polishing，化学机械研磨)作业，CMP作业包括：研磨和抛光(buffing)及清洗。半导体元件为多层结构的形态，且在基板层形成有具有扩散区域的晶体管元件。在基板层，连接金属线图案化，并且以电连接于形成有功能性元件的晶体管元件。如公知的一样，图案化的导电层通过二氧化硅等绝缘材料与其他导电层绝缘。由于形成更多的金属层和与其相关的绝缘层，从而使绝缘材料平坦的必要性增加。若没有实现平坦化，则由于在表面形态的很多变动，实质上，追加金属层的制造更难。此外，金属线图案由绝缘材料形成，通过基板研磨作业来去除过量金属物。

现有的基板研磨装置作为用于对基板的一面或两面进行研磨、抛光及清洗的构成要素，设置有机械研磨部件，机械研磨部件包括传送带、研磨垫或刷子，利用研磨液溶液内的化学成分来促进及强化研磨作业。

另外，通常，基板研磨装置以如下形式实现研磨：向附着于研磨平板(platen)的研磨垫和安装于载体头的基板之间供给包括研磨粒子的研磨液的同时，随着向同一方向旋转，通过研磨垫和基板之间的相对旋转速度使得基板表面平坦化。

基板的面积逐渐变大，研磨大面积基板时，为了使研磨均匀度适合，众所周知的方式为，将基板载体分割为多个区域且设置柔韧性薄膜，通过向各个区域施加不同的压力来控制研磨量。但是，即使如所述一样对基板载体进行分割，在使得基板的研磨均匀度维持一定并进行控制方面也存在极限，因而需要新的控制研磨量的方式。

另外，随着基板的大小逐渐大面积化，难以进行向基板研磨装置及基板载体的基板的装载和卸载，从而产生延迟时间,并且降低生产量(throughput)。

此外，在研磨基板时向基板的被研磨面供给用于研磨基板的研磨液。现有的基板研磨装置随着研磨模块加压基板的同时旋转而研磨基板，设置于现有的研磨模块的用于加压的流体口的情况，因为用于供给研磨液的端口及供给空气的端口形成为一体，所以有在一个端口发生损坏时需要替换整个端口的问题。

尤其，就用于供给研磨液的端口而言，研磨液特性上会产生内部的腐蚀或堵塞现象，所以有必要定期的替换研磨液供给部，此时，存在由于装置的中断而导致的生产力低下的问题。据此，实情是需要一种用于解决由于研磨液供给部的替换而导致的问题的研磨装置。

实用新型内容

根据实施例，提供一种基板研磨装置，其独立地与用于加压的流体口及用于注入研磨液的研磨液供给部相连接，易于替换研磨液供给部。

实施例中想要解决的课题并非受限于如上所述的课题，从业者可以从以下记载明确地理解没有提及的其他课题。

根据用于实现所述想要解决的课题的实施例，基板研磨装置的研磨模块包括：研磨垫，其设置于基板上部，与所述基板相接触并研磨所述基板；基底部件，其下侧设置有所述研磨垫；驱动轴，其设置于所述基底部件的上部；流体供给部，其设置于所述驱动轴，通过所述驱动轴供给加压所述研磨垫的流体；以及研磨液供给部，其在所述驱动轴通过与所述流体供给部不同的流路向基板的被研磨面供给研磨液。