[实用新型]一种波长可调谐的半导体激光器有效
| 申请号： | 201820961895.9 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208284785U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 林中晞;林琦;徐玉兰;陈景源;钟杏丽;朱振国;薛正群;苏辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 张祖萍 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 限制层 本实用新型 波长可调谐 上波导层 下波导层 脊波导 微腔 源层 饱和吸收区 选择性输出 杠杆效应 高速调制 光限制层 微腔结构 中心区域 电调制 波长 包层 带宽 | ||
1.一种波长可调谐的半导体激光器，其特征在于，包括：由下至上形成的下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层和上分离限制层；
其中，下波导层、有源层和上波导层构成半导体激光器的光限制层中心区域，下分离限制层和上分离限制层构成半导体激光器的包层；
上波导层或下波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述微腔为环形微腔或圆盘形微腔。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，环形微腔为圆环形谐振腔，圆环形谐振腔内外边界呈轴对称，且内外边界的中心重合，刻蚀深度相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述脊波导包括增益区、电隔离区和饱和吸收区；增益区、电隔离区和饱和吸收区位于同一脊条上且共线排列，电隔离区对增益区和饱和吸收区进行电隔离；微腔设置在增益区沿长度方向的任意位置。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，增益区的长度大于电隔离区和饱和吸收区的总长度，电隔离区的长度大于等于饱和吸收区的长度。
6.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，增益区和饱和吸收区的上方设置有平面电极，增益区的电极和饱和吸收区的电极之间相互独立不相连。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，微腔与脊波导直接相连，或者在微腔与脊波导之间加入侧边电隔离区进行电隔离。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，侧边电隔离区的宽度为0.5～1.5um。
9.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，在微腔与脊波导之间加入侧边电隔离区时，微腔上方设置有平面电极，环形微腔的电极与增益区的电极和饱和吸收区的电极之间相互独立不相连。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，有源层采用应变量子阱和应变量子垒交替混合的多层量子阱结构；
应变量子阱的总厚度为8～12nm，应变量子垒的总厚度为8～12nm。
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