[实用新型]一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构有效
申请号: | 201820970167.4 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN208240692U | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 张鹏;常青;谢耀辉;余波;张元秋 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化硅膜 制备 背面 折射率 电池背面 转换效率 本实用新型 背面膜 层结构 第三层 第一层 电池片 镀膜工艺 企业效益 氮化硅 前处理 良率 改进 优化 | ||
本实用新型公开了一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构,包括电池片;所述第一层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.44±0.05;所述第二层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.14±0.05;所述第三层氮化硅膜的厚度为5±2nm、折射率为0.96±0.05;所述第四层氮化硅膜的厚度为60±3nm、折射率为0.9±0.05。一种制备方法,包括以下步骤:S1、电池片前处理;S2、背面制备第一层氮化硅膜;S3、背面制备第二层氮化硅膜;S4、背面制备第三层氮化硅膜;S5、背面制备第四层氮化硅膜。本实用新型通过优化和改进背面氮化硅镀膜工艺,提升双面PERC电池背面转换效率,提升工业化生产中良率,提高企业效益,而且该工艺完全可以在现有的设备上实现,不需增加任何成本,实用性较强。
技术领域
本实用新型涉及电池镀膜技术领域,具体为一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构。
背景技术
P型PERC电池目前已经成为市场主流电池技术,未来该行业内各家都在进行PERC电池技术的验证和考察,P型双面PERC电池是基于PERC电池之上,在不增加成本的基础上增加电池综合发电量,从而是该结构电池在后续行业市场发展中引起极大的关注,其中关注点主要在于双面PERC电池的双面率问题,其核心就是背面发电量,背面的转换效率。
目前双面PERC电池的双面率在65-70%之间,双面率相对N型双面电池还有很大差距,为此本专利所设计的背面镀膜新工艺可以明显提升双面PERC电池背面转换效率,能有效缩小与N型双面电池双面率的差距,为双面PERC的未来发展提供参考。
常规的PERC电池背面的氮化硅沉积只是为了保护氧化铝薄膜不被刮伤,且氮化硅厚度在130um左右,膜色呈金黄色,不需要考虑其背面效率。但是双面电池背面氮化硅要求为蓝色色系,要测试背面转换效率。根据大量实验数据得出,氮化硅薄膜厚度大于等于110um以上,其厚度对电池正面效率影响会越来越小,当氮化硅薄膜厚度小于110um时,氮化硅薄膜厚度对电池效率影响显著,电池效率会随着氮化硅膜厚降低而降低。
因此综上所述,一般选择背面氮化硅的厚度为浅蓝色,所以需要对背面氮化硅膜层的层数和厚度进行优化设计,以提升背面转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构,包括电池片,所述电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、第一层氮化硅膜、第二层氮化硅膜、第三层氮化硅膜以及第四层氮化硅膜;
所述第一层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.44±0.05;
所述第二层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.14±0.05;
所述第三层氮化硅膜的厚度为5±2nm、折射率为0.96±0.05;
所述第四层氮化硅膜的厚度为60±3nm、折射率为0.9±0.05。
优选的,所述氧化铝膜厚度为5±0.5nm、折射率为1.6±0.05。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型的背面氮化硅膜层结构,通过该方法制备所形成的氮化硅膜层结构,每层氮化硅膜的厚度和折射率均独特设计,可以很好的减少进入电池体内的光损失,增加进入电池体内光的光程,从而提升电池电流最终实现背面转换效率的提升,同时该制备方法所形成的氮化硅膜在提升效率的同时也能提升双面PERC背面镀膜的均匀性,使得所制备的双面PERC背面膜更均匀,外观更好,提升产品良率,提升企业收益,而且该工艺完全可以在现有的设备上实现,不需增加任何成本,实用性较强。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的