[实用新型]二维磁场传感器有效
| 申请号： | 201820970548.2 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN208569011U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 钱正洪;白茹;康洁;胡亮 | 申请（专利权）人： | 钱正洪;白茹 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 浙江省杭州市下沙高*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁敏电阻 磁通引导 二维磁场传感器 本实用新型 惠斯通电桥结构 衬底 两组 半环形结构 抗干扰能力 区域设置 外部框架 集成度 对角 对称轴 集成化 双电桥 单芯 覆盖 温漂 输出 | ||
1.二维磁场传感器，包括磁通引导器；其特征在于：所述的磁通引导器设置在衬底上，磁通引导器外部框架为方环形或圆环形结构，两条对角线或两条垂直的对称轴将磁通引导器分为四个区域；每个区域均开有磁敏电阻放置间隙；每个区域设置有一对磁敏电阻，磁敏电阻均设置在衬底上，一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖，另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内；对角两个区域的两对磁敏电阻分别连成两组惠斯通电桥结构。
2.二维磁场传感器，包括磁通引导器；其特征在于：所述磁通引导器外部框架为水平方向或垂直方向沿对角线对称的半环形结构，对称轴将磁通引导器分为两个区域；每个区域均开有磁敏电阻放置间隙；每个区域设置有一对磁敏电阻，磁敏电阻均设置在衬底上，一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖，另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内；同一区域的一对磁敏电阻连成惠斯通电桥半桥结构。
3.如权利要求1或2所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁敏电阻放置间隙的两边与切边呈大于0°小于90°的倾斜角。
4.如权利要求1或2所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁通引导器诱导平面磁场通过磁通引导器的两个间隙或四个间隙，间隙中的磁敏电阻感受到通过间隙的磁场分量，磁电阻随外场发生改变，而被磁通引导器覆盖的磁敏电阻由于被软磁屏蔽，故磁电阻不随外场改变，磁通引导器的间隙中的磁敏电阻以及被磁通引导器覆盖的磁敏电阻组成两对惠斯通电桥形成差分输出，从而实现对二维磁场的测量。
5.如权利要求1或2所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁敏电阻由同种材料组成，为各向异性磁电阻、巨磁电阻、磁隧道结电阻。
6.如权利要求1或2所述的二维磁场传感器，其特征在于：同一区域内，所述的磁敏电阻的倾斜角度与磁敏电阻放置间隙的倾斜角度相同，磁敏电阻的两边与间隙的切边平行。
7.如权利要求1或2所述的二维磁场传感器，其特征在于：所述的磁通引导器选用软磁材料。
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