[实用新型]三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的导电层和介质层，所述堆叠层中具有多个接触部，所述多个接触部的每个接触部分别与各自预定深度的导电层接触，其中每个接触部贯穿对应的导电层之上的一个或多个导电层和/或介质层，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的导电层之间具有绝缘层。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层的上表面是平整的。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，每个所述导电层和每个所述介质层沿字线方向连续地延伸。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述衬底中具有第一掺杂类型的深阱。

5.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层中具有栅极隔槽，所述栅极隔槽内设有绝缘层和位于所述绝缘层内的阵列共源极。

6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述多个接触部与所述导电层一体成型。

7.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述导电层和所述接触部的材料为金属或金属氧化物。

8.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或氧化铝。

9.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅、未掺杂多晶硅、非晶硅或非晶碳。

10.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器为电荷俘获型三维NAND存储器。