[实用新型]一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201820981861.6 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208352325U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延结构 深紫外发光二极管 本实用新型 蓝宝石 垂直结构 激光剥离 高效率 极性层 衬底 准分子激光 不掺杂层 生长 剥离 准分子激光器 剥离表面 底层材料 吸收波长 蓝光LED 缓冲层 波长 禁带 源层 制程 穿过 芯片 分解 制作 | ||
1.一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，包括在蓝宝石衬底（1）上依次生长的缓冲层（2）、不掺杂层（3）、N型极性层（5）、有源层（6）、P型电子阻挡层（7）、P型极性层（8）；其特征在于：在所述不掺杂层（3）与N型极性层（5）之间生长有激光剥离层（4），且所述激光剥离层（4）的带隙宽度小于缓冲层（2）和不掺杂层（3）的带隙宽度。
2.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述激光剥离层（4）的带隙宽度小于5电子伏特。
3.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述激光剥离层（4）的厚度为30nm。
4.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述P型极性层（8）表面依次蒸镀有欧姆接触层、反光层和键合层（9）。
5.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述P型极性层（8）键合到导电导热衬底（10）上。
6.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述缓冲层（2）、不掺杂层（3）均由AlxGa1-xN构成，其中，0.7≦x≦1。
7.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述N型极性层（5）、有源层（6）、P型电子阻挡层（7）、P型极性层（8）均由AlxGa1-xN构成，其中，0.4≦x≦1。
8.根据权利要求1所述的一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构，其特征在于：所述激光剥离层（4）由AlxGa1-xN构成，其中，0≦x≦0.4。
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