[实用新型]一种采用埋入式位线的晶体管结构

权利要求书

1.一种采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底；

隔离结构，形成于所述衬底中，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；

漏极沉入凹槽，形成于所述有源区中，所述漏极沉入凹槽交迭于所述有源区中段，且由所述衬底的顶面，所述漏极沉入凹槽的底面相对较浅于所述隔离结构的底面；

第一字线沟槽与第二字线沟槽，皆形成于所述衬底中，由所述衬底的顶面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽的底面皆相对较浅于所述隔离结构的底面并相对较深于所述漏极沉入凹槽底面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽皆穿过所述有源区，藉由所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽间隔，所述有源区包含第一源极区域、漏极区域与第二源极区域，所述漏极区域位于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间；

埋入式字线，形成于所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中；

位线沟槽，形成于所述衬底中，所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽，且所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽的部分暴露出所述漏极区域顶面；及

埋入式位线，形成于所述位线沟槽中，所述埋入式位线的金属顶面低于所述衬底的顶面，所述衬底的顶面包含所述第一源极区域的上表面与所述第二源极区域的上表面，且所述衬底的顶面在同一有源区中且所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的区域是绝缘掩埋。

2.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构更包括位线绝缘保护层，所述位线绝缘保护层形成于所述埋入式位线顶面。

3.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于：所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽中皆形成有衬垫氧化层，所述衬垫氧化层包围所述埋入式字线的底面及侧壁。

4.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于：所述埋入式字线的顶面低于所述埋入式位线的底面。

5.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于：所述位线沟槽同时穿过多个所述漏极沉入凹槽。

6.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于：在所述晶体管结构的平面布局中，所述有源区、所述埋入式字线及所述埋入式位线均包含直线型、折线型及波浪型中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构，其特征在于：所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽分别与所述漏极沉入凹槽的两端相连或相交叠。