[实用新型]晶圆清洗装置有效
申请号: | 201820988828.6 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN208315516U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 杨金贵;张文福;高英哲;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盘体 晶圆 清洗剂 晶圆清洗装置 本实用新型 器件结构 卡盘 承载 晶圆产品 晶圆正面 同轴设置 背面 损伤 | ||
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括卡盘;所述卡盘包括同轴设置的第一盘体以及位于所述第一盘体表面的第二盘体;所述第一盘体的直径大于所述第二盘体,以在所述第一盘体与所述第二盘体之间形成一阶梯;所述第二盘体用于承载晶圆,且所述第二盘体的直径小于所承载晶圆的直径。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二盘体朝向所述晶圆的表面设置有多个第一喷口;所述第一喷口用于喷射第一气体,以支撑所述晶圆,使得所述晶圆与所述第二盘体之间形成一间隙。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆包括形成有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面,所述晶圆以所述正面朝向所述第二盘体放置;所述第二盘体朝向所述晶圆的表面还设置有至少一第二喷口;所述第二喷口用于喷射去离子水,以稀释位于所述正面的清洗剂。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括第一通道;所述第一通道,贯穿所述第一盘体和所述第二盘体,用于向所述第二喷口传输去离子水。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,位于所述第二盘体内的所述第一通道与所述第二盘体的轴向呈第一预设角度的夹角,使得所述去离子水自所述第二喷口沿朝向所述晶圆的边缘方向倾斜喷出。
6.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二盘体朝向所述晶圆的表面还设置有至少一第三喷口;所述第三喷口用于喷射第二气体,以干燥残留于所述正面的去离子水。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括第二通道;所述第二通道,贯穿所述第一盘体和所述第二盘体,用于向所述第三喷口传输第二气体。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置,其特征在于,位于所述第二盘体内的所述第二通道与所述第二盘体的轴向呈第二预设角度的夹角,使得所述第二气体自所述第三喷口沿朝向所述晶圆的边缘方向倾斜喷出。
9.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二气体为温度在170℃以上的氮气。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆沿其径向方向突出所述第二盘体的距离为3mm~5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造