[实用新型]一种表面覆膜的双面单晶硅片有效
申请号: | 201820990414.7 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN208422938U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 陈春成;戚建静 | 申请(专利权)人: | 江苏晶品新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/048;H01L31/041 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陈娟 |
地址: | 225600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片基体 钢化玻璃 单晶硅片 两组 反射 表面覆膜 弹性层 光学胶 连接板 相邻面 橡胶环 高折射率介质膜 减震 低折射率介质 光电转换效率 紫外线保护膜 本实用新型 氮化硅膜 外力作用 压花玻璃 半球形 反射层 反射光 光折射 深蓝色 紫外线 缓冲 凸块 光照 施加 受损 阻挡 | ||
本实用新型公开了单晶硅片领域的一种表面覆膜的双面单晶硅片,包括连接板,相邻两组所述橡胶环之间设置有钢化玻璃,两组所述钢化玻璃的相邻面均设置有光学胶弹性层,两组所述光学胶弹性层的相邻面设置有硅片基体,所述钢化玻璃远离硅片基体的一侧设置有反射层,该装置通过半球形的凸块可以将光折射向硅片基体,增强光照强度,厚度为七十五纳米的氮化硅膜呈深蓝色,减少对光的反射,压花玻璃、低折射率介质膜和高折射率介质膜,将硅片基体反射的反射光再次反射向硅片基体上,提高了光电转换效率,橡胶环起到减震缓冲的作用,避免施加在连接板上的外力作用在钢化玻璃上,导致硅片基体受损,紫外线保护膜起到阻挡紫外线的作用。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片领域,具体为一种表面覆膜的双面单晶硅片。
背景技术
随着经济的不断发展,环境的污染日渐严重,加之石油和煤炭等不可再生资源的逐渐耗尽,人们对可再生能源的利用与开发显得越来越重视,其中太阳能光伏发电已经成为可再生能源中最安全、最环保和最具潜力的竞争者,现今所有商业规模生产的太阳能电池,都是以硅作为制作材料。硅太阳能电池中单晶硅太阳能电池具有最高的转换效率,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但是现有的太阳能电池上的单晶硅片往往设计成单面接受光照的结构,极大的制约了单晶硅片作为太阳能组件时的光电转换效率,因此,需要一种表面覆膜的双面单晶硅片。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种表面覆膜的双面单晶硅片,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种表面覆膜的双面单晶硅片,包括连接板,所述连接板的内腔壁上开设有放置槽,所述放置槽的内腔均匀设置有三组橡胶环,且三组橡胶环从上到下依次呈线性排列,相邻两组所述橡胶环之间设置有钢化玻璃,两组所述钢化玻璃的相邻面均设置有光学胶弹性层,两组所述光学胶弹性层的相邻面设置有硅片基体,所述钢化玻璃远离硅片基体的一侧设置有反射层,所述反射层远离硅片基体的一侧设置有增透层。
优选的,所述连接板的顶部和底部均设置有防护罩,且防护罩的竖截面呈圆弧形。
优选的,增透层远离硅片基体的一侧均匀设置有凸块,且凸块矩形阵列排列,所述凸块为半球形凸块。
优选的,所述凸块远离硅片基体的一侧设置有氮化硅膜,且氮化硅膜的厚度为七十五纳米。
优选的,所述反射层包括压花玻璃,且压花玻璃靠近硅片基体的一侧设置有低折射率介质膜,且低折射率介质膜靠近硅片基体的一侧设置有高折射率介质膜。
优选的,所述防护罩远离硅片基体的一侧设置有紫外线保护膜。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该装置结构简单,使用方便,半球形的凸块可以将光折射向硅片基体,增强光照强度,厚度为七十五纳米的氮化硅膜呈深蓝色,减少对光的反射,压花玻璃、低折射率介质膜和高折射率介质膜,将硅片基体反射的反射光再次反射向硅片基体上,提高了光电转换效率,橡胶环起到减震缓冲的作用,避免施加在连接板上的外力作用在钢化玻璃上,光学胶弹性层起到避免钢化玻璃上的力传递到硅片基体上,导致硅片基体受损,紫外线保护膜起到阻挡紫外线的作用。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中:1连接板、2放置槽、3橡胶环、4钢化玻璃、5光学胶弹性层、6硅片基体、7反射层、8增透层、9防护罩、10凸块、11紫外线保护膜。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的