[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 201820993040.4 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN208618006U | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 廖弘基;张洁;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 软毡 石墨坩埚 保温层 碳化硅单晶 生长装置 上端 卡块 扭曲变形 气流变化 上端卡 石墨盖 覆盖 本实用新型 接触连接 外侧设置 脱离 负重 生长 | ||
1.一种碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)，其特征在于：所述石墨坩埚(1)的上端设置有石墨盖(2)，石墨盖(2)与石墨坩埚(1)的上端接触连接；所述石墨盖(2)的下端中央设置有籽晶片(3)，籽晶片(3)与石墨盖(2)的下端粘合固定；所述石墨坩埚(1)的外侧包裹有外侧石墨软毡保温层(4)，石墨坩埚(1)的底部包裹有底部石墨软毡保温层(5)，石墨坩埚(1)的上部包裹有上部石墨软毡保温层(6)；所述上部石墨软毡保温层(6)的中央开设有测温孔(7)；所述上部石墨软毡保温层(6)的上端设置有承重圆环(8)，承重圆环(8)的外侧设置有卡块(9)，卡块(9)与外侧石墨软毡保温层(4)的上端卡接固定；所述石墨坩埚(1)的最外层设置有感应线圈(10)，感应线圈(10)分布在石墨坩埚(1)的外侧周围。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨坩埚(1)和石墨盖(2)的厚度均为5-20mm。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨坩埚(1)内放置有纯度为5N-6N的碳化硅粉末(11)。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述外侧石墨软毡保温层(4)、底部石墨软毡保温层(5)和上部石墨软毡保温层(6)的层数为1-4层，厚度为5-10mm。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述测温孔(7)的直径为10～30mm。
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