[实用新型]一种自干燥半导体晶片清洗装置有效

专利信息
申请号: 201820995693.6 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN208256637U 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 张唐魁 申请(专利权)人: 世巨科技(合肥)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 231500 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 伺服电机 螺旋叶 干燥半导体晶片 本实用新型 清洗装置 转轴 隔板 半导体晶片 内部固定 承载箱 输出端 液压缸 轴承套 套接 转动 吸盘 表面固定 带动转轴 清洗液 液压杆 伸缩 拿取 内壁 内壳 液面 清洗 镶嵌
【说明书】:

实用新型公开了一种自干燥半导体晶片清洗装置,本实用新型包括外壳和内壳,外壳的内部固定连接有隔板,隔板的内部镶嵌有轴承套,轴承套的内部固定套接有伺服电机的输出端,伺服电机的输出端固定连接有转轴,转轴的表面固定套接有螺旋叶,外壳的内壁固定安装有液压缸。本实用新型通过设置伺服电机、转轴和螺旋叶,两个伺服电机带动转轴进行转动,进而使得螺旋叶进行转动,将半导体晶片置放在承载箱内部的吸盘上,然后利用螺旋叶进行加快清洗液流速,使得加快对半导体晶片的清洗速率,进一步通过设置的液压缸和液压杆,可将承载箱伸缩至液面以上,方便拿取与存放,进一步增强了该自干燥半导体晶片清洗装置的实用性。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶片清洗设备技术领域,具体为一种自干燥半导体晶片清洗装置。

背景技术

现在,作为一种半导体晶片的清洗方法使用将臭氧水、稀氢氟酸、纯水组合而进行清洗处理的方法。作为该场合的通常的清洗流程,以臭氧水清洗→稀氢氟酸清洗→臭氧水(纯水)清洗→干燥的顺序进行清洗。

在该方法中,在最初的臭氧水清洗中进行附着在半导体晶片表面的有机物的去除,在下一个稀氢氟酸清洗中将形成于半导体晶片表面的氧化膜与混入在该氧化膜中的金属杂质一起去除,其后,在半导体晶片表面上需要保护氧化膜的情况下利用臭氧水(或纯水)进行表面氧化处理。而且,出于提高清洗力的目的还实施使用臭氧水和氢氟酸反复进行半导体晶片表面的氧化膜的形成和蚀刻的方法,但是现有的清洗所具有的缺点不足:

1.不能够同时将多种清洗水进行分布清洗,以便于达到更好的清洗效果;

2.清洗干燥不便于在同一个装置中进行,因此清洗使用不便。

实用新型内容

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种自干燥半导体晶片清洗装置,解决了现有半导体晶片清洗设备使用效果不佳的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种自干燥半导体晶片清洗装置,包括外壳和内壳,所述外壳的内部固定连接有隔板,所述隔板的内部镶嵌有轴承套,所述轴承套的内部固定套接有伺服电机的输出端,所述伺服电机的输出端固定连接有转轴,所述转轴的表面固定套接有螺旋叶,所述外壳的内壁固定安装有液压缸,所述液压缸的输出端固定连接有液压杆,所述液压杆的一端固定连接有承载箱,所述内壳的一侧壁设有排液管,所述外壳和内壳之间固定连接有循环箱,所述循环箱的内部设有水泵,所述水泵的一端与滴液管连通,所述内壳的内部固定安装有进液喷头,所述进液喷头的一端连通有进液管,所述进液管的一端与三通管连通,所述内壳的内壁上设有空气干燥器。

优选的,所述外壳和内壳之间通过固定件进行固定,所述固定件的数量有四个,且四个固定件分为两组,两组固定件以外壳的中心线对称设置。

优选的,所述螺旋叶的数量有两个,且两个螺旋叶以内壳的中心线对称设置。

优选的,所述承载箱的内壁上开设有通孔,所述承载箱的内部设有阻隔板,所述承载箱的内部底端设有吸盘。

优选的,所述三通管的一端分别与臭氧水管、稀氢氟酸管和纯水管连通,且三通管和排液管的表面设有阀门。

优选的,所述空气干燥器的数量有两个,且两个空气干燥器以内壳的中心线对称设置。

优选的,所述外壳和内壳的表面设有箱门。

与现有技术相比,本实用新型提供了一种自干燥半导体晶片清洗装置,具备以下有益效果:

(1)本实用新型通过设置伺服电机、转轴和螺旋叶,两个伺服电机带动转轴进行转动,进而使得螺旋叶进行转动,将半导体晶片置放在承载箱内部的吸盘上,然后利用螺旋叶进行加快清洗液流速,使得加快对半导体晶片的清洗速率,进一步通过设置的液压缸和液压杆,可将承载箱伸缩至液面以上,方便拿取与存放,进一步增强了该自干燥半导体晶片清洗装置的实用性。

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