[实用新型]一种集成芯片的电源瞬态过压保护电路有效
| 申请号： | 201821003520.8 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208226569U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 周芳 | 申请（专利权）人： | 烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 张凯 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成芯片 场效应管 电源瞬态 电流泄放电路 电压驱动电路 过压保护电路 本实用新型 电流泄放 瞬态电压 导通 电阻 电子技术领域 恒定 烧坏 驱动 栅极连接 接地 供电端 漏极 源极 电路 升高 通信 | ||
1.一种集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：包括电流泄放电路，所述电流泄放电路包括场效应管Q1和电阻R1，所述场效应管Q1的源极与集成芯片的供电端相连，所述场效应管Q1的漏极经过电阻R1后接地，且所述场效应管Q1的栅极连接有一电压驱动电路；
当集成芯片的电源瞬态电压升高时，所述电压驱动电路驱动所述场效应管Q1导通，所述电流泄放电路进行电流泄放；当集成芯片的电源瞬态电压恒定或降低时，所述电压驱动电路驱动所述场效应管Q1不导通。
2.如权利要求1所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述电压驱动电路包括运算放大器A1、电容C1、电阻R2和电阻R3，所述运算放大器A1的输出端串联所述电阻R3后与所述场效应管Q1的栅极相连，所述电容C1两端分别连接所述运算放大器A1的反向输入端和输出端，所述电阻R2一端与所述运算放大器A1的反向输入端相连，另一端连接所述场效应管Q1的源极。
3.如权利要求2所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述电压驱动电路还包括一用于设置所述运算放大器A1参考电压的参考电压电路，所述参考电压电路与运算放大器A1的正向输入端相连。
4.如权利要求3所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述参考电压电路包括参考电压、电阻R4和电阻R5，所述参考电压串联所述电阻R4后与所述运算放大器A1的正向输入端相连，所述运算放大器A1的正向输入端经过所述电阻R5后接地。
5.如权利要求2所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述运算放大器A1有两个电源输入端，其中一个电源输入端连接电源电压VCC，另一个电源输入端接地。
6.如权利要求1所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述电流泄放电路还包括二极管D1，所述二极管D1的阳极与集成芯片的供电端相连，所述二极管D1的阴极与所述场效应管Q1的源极相连。
7.如权利要求6所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述二极管D1为锗二极管。
8.如权利要求1所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：还包括瞬态抑制二极管D2，所述瞬态抑制二极管D2的阴极与所述二极管D1的阳极相连，所述瞬态抑制二极管D2的阳极接地。
9.如权利要求1所述的集成芯片的电源瞬态过压保护电路，其特征在于：所述场效应管Q1为P沟道MOS管。
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