[实用新型]一种具有氮化镓器件的电路有效
申请号: | 201821004830.1 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN208572039U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 夏勤 | 申请(专利权)人: | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/26;H03F3/45 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧婵 |
地址: | 710075 陕西省西安市高新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化镓场效应晶体管 氮化镓器件 恒流源单元 差分放大单元 电路 氮化镓 电源端 接地端 输出端 输入端 漏极 源极 差分放大电路 超高频 一端连接 栅极连接 比较器 稳压器 振荡器 电阻 共接 阻性 | ||
1.一种具有氮化镓器件的电路,至少包括:
第一差分放大单元,第一、第二输入端,和第一、第二输出端,和电源端,以及接地端;
所述第一差分放大单元包括第一氮化镓场效应晶体管、第二氮化镓场效应晶体管、第一电阻、第二电阻、第一氮化镓恒流源单元,其中:
第一氮化镓场效应晶体管的漏极与第一电阻的一端串联形成第一氮化镓支路,第二氮化镓场效应晶体管的漏极与第二电阻的一端串联形成第二氮化镓支路;并且:所述第一、第二电阻的另一端均与电源端连接;
第一氮化镓场效应晶体管的源极与第二氮化镓场效应晶体管的源极相连,并共同连接于所述第一氮化镓恒流源单元的一端,所述第一氮化镓恒流源单元的另一端则连接所述接地端;
第一氮化镓场效应晶体管的栅极连接所述第一输入端,第二氮化镓场效应晶体管的栅极连接所述第二输入端;
第一氮化镓场效应晶体管的漏极连接所述第一输出端,第二氮化镓场效应晶体管的漏极连接所述第二输出端。
2.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一、第二电阻包括如下:高压电阻或薄膜电阻,或深层电阻。
3.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述电路中至少包括D型氮化镓和E型氮化镓场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一氮化镓场效应晶体管、第二氮化镓场效应晶体管包括增强型器件或耗尽型器件。
5.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述电路用作稳压器,或比较器,或放大器,或振荡器。
6.根据权利要求1所述的电路,其中,所述电路还包括:
第二级放大单元,其包括第二保护单元和第三差分放大单元,并且:
所述第三差分放大单元与第一差分放大单元的具有相同的拓扑结构;
所述第一差分放大单元的第一、第二输出端与第二保护单元的输入连接,所述第二保护单元的输出进一步与第三差分放大单元的第一、第二输入端连接,其中,第二保护单元用于防止第三差分放大单元中的器件损坏;
所述第三差分放大单元的第一、第二输出端连接后级。
7.根据权利要求6所述的电路,其中:
所述后级为第四输出单元或第三级放大单元;
当所述后级为第四输出单元时,所述第二级放大单元中的第三差分放大单元的第一、第二输出端连接第四输出单元的输入,且第四输出单元具有一个输出端,所述第四输出单元的输出端用于连接负载;
当所述后级为第三级放大单元时,所述第三级放大单元包括第四保护单元和第五差分放大单元,并且所述第三级放大单元与第二级放大单元具有相同的拓扑结构。
8.根据权利要求7所述的电路,其中,所述电路还包括:
所述第四输出单元的输出端还经由第一反馈单元而进一步连接至第一差分放大单元的第二输入端。
9.根据权利要求7所述的电路,其中:
所述第四输出单元包括如下任一输出结构:推挽式输出或源跟随器。
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