[实用新型]H桥驱动电路

说明书

本实用新型提供一种H桥驱动电路，包括驱动单元、H桥电路以及钳位电路；H桥电路包括第一MOS管、第二MOS管、负载以及第一电压源；第一MOS管的栅极与驱动单元相连，第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极相连，第一MOS管的漏极与第一电压源相连；第二MOS管的栅极与驱动单元相连，第二MOS管的源极与钳位电路相连；负载的第一端连接于第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极之间，且负载的第二端与第一电压源相连；第一电压源用于输出工作电压以驱动负载工作；驱动单元用于驱动第一MOS管与第二MOS管处于相反的状态；钳位电路用于输出钳位电压至二MOS管的源极。本实用新型提供的H桥驱动电路的安全性较高。

【技术领域】

本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种H桥驱动电路。

【背景技术】

随着电力电子技术的发展，由功率器件(例如，MOS管)组成且用来完成电力电子中的逆变功能的H桥电路被广泛应用。随着功率器件的更新，MOS管由于有较低的导通电阻很受市场欢迎。然而，在桥式等有上下管存在的线路中，由于MOS管的结电容的存在，经常会由于严重的米勒效应导致空载或者轻载炸机问题，亦即，当同一桥臂的上下MOS管同时导通时会将管子损坏。

例如，当使用芯片IR2110在驱动全桥MOS管工作时会很不稳定，伴随着直流母线电压的增高，同一桥臂上下MOS管会出现不同程度的直通现象。在母线电压较低时MOS管的驱动电压波形毛刺较小，驱动波形较理想；母线电压较高时，MOS管的驱动电压波形毛刺较高，极易使同一桥臂上下MOS管导通，引起炸管。

鉴于此，实有必要提供一种新的H桥驱动电路以克服上述缺陷。

【实用新型内容】

本实用新型的目的是提供一种安全性较高，能够避免同一桥臂上的上下MOS管同时导通的H桥驱动电路。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种H桥驱动电路，包括驱动单元、H桥电路以及钳位电路；所述驱动单元与所述H桥电路相连，用于驱动所述H桥电路；所述H桥电路包括第一MOS管、第二MOS管、负载以及第一电压源；所述第一MOS管的栅极与所述驱动单元相连，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极相连，所述第一MOS管的漏极与所述第一电压源相连；所述第二MOS管的栅极与所述驱动单元相连，所述第二MOS管的源极与所述钳位电路相连；所述负载的第一端连接于所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极之间，且所述负载的第二端与所述第一电压源相连；所述第一电压源用于输出工作电压以驱动所述负载工作；所述驱动单元用于驱动所述第一MOS管与所述第二MOS管处于相反的状态；所述钳位电路用于输出钳位电压至所述二MOS管的源极。

在一个优选实施方式中，所述钳位电路包括第二电压源、第一电阻、第一电容以及稳压管；所述第一电容的一端通过所述第一电阻与所述第二电压源相连，且所述第一电容的另一端接地；所述稳压管的阴极通过所述第一电阻与所述第二电压源相连，且所述稳压管的阳极接地；所述第二MOS管的源极与所述稳压管的阴极相连。

在一个优选实施方式中，所述钳位电压与所述稳压管的稳压电压相同。

在一个优选实施方式中，所述H桥电路还包括第一限流电阻和第二限流电阻，所述第一MOS管的栅极通过所述第一限流电阻与所述驱动单元相连；所述第二MOS管的栅极通过所述第二限流电阻与所述驱动单元相连。

在一个优选实施方式中，所述H桥电路还包括第一滤波电容和第二滤波电容；所述第一滤波电容的一端与所述第一电压源相连，且所述第一滤波电容的另一端与所述负载的第二端相连；所述第二滤波电容的一端与所述负载的第二端相连，且所述第二滤波电容的另一端与所述第二MOS管的源极相连。