[实用新型]一种高指向性的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201821012343.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208637452U | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 高反射 高反射结构 发光层 指向性 本实用新型 发光二极管 金属层 侧面 衬底 发光二极管外延结构 多层膜结构 透明介电层 法线方向 组合结构 多层膜 射出 沉积 制备 平行 | ||
1.一种高指向性的发光二极管芯片，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层的发光二极管外延结构、衬底、n型电极、侧面高反射结构；其特征在于：所述衬底与n型半导体层连接，所述n型半导体层与发光层连接，所述发光层与p型半导体层连接，所述n型半导体层上制备有n型电极，所述高反射结构形成于所述n型半导体层、发光层、p型半导体层、衬底的侧面。
2.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述n型半导体层、发光层和p型半导体层组成的发光二极管外延结构为氮化镓(GaN)基发光二极管外延层。
3.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述高反射结构采用透明介电层与高反射金属层组合结构，其中高反射金属层采用金(Au)、铝(Al)、银(Ag)或其合金之一。
4.根据权利要求3所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述透明介电层材料为氧化硅、氮化硅、氮化镁、氧化钛、氧化锆中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述高反射结构为高反射多层膜，所述高反射多层膜为高低折射率交替的介质多层膜，每层膜厚为发光层波长的1/4。
6.根据权利要求5所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述高反射多层膜采用二氧化硅(SiO2)和二氧化钛(TiO2)交替生长的多层膜作为高反射结构。
7.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述高反射结构同时形成于发光二极管芯片的衬底背面即为正装结构，或p型半导体一侧即为倒装结构或垂直结构。
8.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：对于正装结构的发光二极管，在蓝宝石的背面直接沉积高反射金属层或高反射多层膜。
9.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：对于倒装结构或垂直结构的发光二极管芯片，在p型半导体一侧上直接沉积高反射金属层。
10.根据权利要求1所述的一种高指向性的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片的侧面通过黄光光罩和干法刻蚀工艺将侧面刻蚀成斜面，发光二极管芯片的出光面面积与发光二极管芯片投影面积的比例要大于等于50％。
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