[实用新型]一种双反射界面的图形化衬底有效
| 申请号： | 201821012365.6 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208352331U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构介质 衬底层 衬底 双反射 图形化 氮化镓基外延层 生长氮化镓基 外延层 本实用新型 图形化结构 侧面 弧形结构 晶格缺陷 生长 重合 非晶 穹顶 取出 合并 | ||
1.一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其特征在于：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。
2.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述衬底材质为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝、砷化镓、氮化镓。
3.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述第一结构衬底层图形和第二结构介质层图形不完全覆盖整个所述衬底的一侧表面。
4.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述第一结构衬底层图形和第二结构介质层图形可轴心重合的形成在所述衬底表面。
5.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：第一结构衬底层图形的高度H1小于第二结构介质层图形的高H2，0.05μm<H1<H2<5μm。
6.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：第一结构衬底层图形的底面尺寸D1为0.1μm~5μm，第二结构介质层图形的底面尺寸D2为0.1μm~5μm。
7.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：第一结构衬底层图形在衬底上分布的周期P1为0.2~10μm，第二结构介质层图形在衬底上分布的周期P2为0.2~10μm。
8.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述第二结构介质层图形采用二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON）、二氧化钛（TiO2）、氮化硅（Si3N4）、氧化锆（ZrO2）和氧化镁（MgO）中的一种或任意组合。
9.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述第二结构介质层图形沉积厚度为0.05um~5um。
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