[实用新型]一种过流保护电路

说明书

本实用新型涉及过流保护电路领域，公开了一种过流保护电路。该过流保护电路包含：PWM产生模块、第一电阻Rg、高边驱动芯片及容性负载；PWM产生模块通过Rg连接高边驱动芯片的使能端；高边驱动芯片的输出端连接容性负载；其中，高边驱动芯片包括MOS管，MOS管的栅极连接该使能端，MOS管的漏极连接供电电源，MOS管的源极连接该输出端；PWM波的周期为Rg*(2*Ciss+Crss)，PWM波的高电平时间大于或等于Rg*Ciss，且小于或等于Rg*(Ciss+Crss)。本实用新型实施方式利用MOS管的导通特性进行电路设计，能够更简单、方便的减小容性负载所带来的冲击电流，达到过流保护的目的。

技术领域

本实用新型涉及过流保护电路领域，特别涉及一种过流保护电路。

背景技术

在电路中，给负载通电的一瞬间，通常会产生大电流，这就是冲击电流。冲击电流现象主要体现在容性负载中，容性负载在上电的一瞬间是相当于短路的，因此，电路中会产生非常大的冲击电流。现有技术中，高边驱动芯片在驱动大容性负载时，通常都会在高边驱动芯片的输出端口设置大功率限流电阻或预充电路，来减小容性负载所带来的冲击电流，以达到过流保护的目的。针对在高边驱动芯片的输出端口设置大功率限流电阻的方案，由于在功率回路中，电阻的发热量大，因此其对电阻的寿命和自身的散热要求较高；而针对高边驱动芯片的输出端口设置预充电路的方案，对于集成芯片(高边驱动芯片)而言，外置MOS管串联电阻的电路(预充电路)，会增加控制的复杂性及MOS管失效的风险，因此，其可靠性较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种过流保护电路，其利用MOS管的导通特性进行电路设计，能够更简单、方便的减小容性负载所带来的冲击电流，达到过流保护的目的。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种过流保护电路，包含：PWM产生模块、第一电阻、高边驱动芯片及容性负载；所述PWM产生模块通过所述第一电阻连接所述高边驱动芯片的使能端，并向所述使能端输出PWM波；所述高边驱动芯片的输出端连接所述容性负载；其中，所述高边驱动芯片包括MOS管，所述MOS管的栅极连接所述使能端，所述MOS管的漏极连接供电电源，所述MOS管的源极连接所述高边驱动芯片的输出端；所述PWM波的周期为Rg*(2*Ciss+Crss)，所述PWM波的高电平时间大于或等于Rg*Ciss，且小于或等于Rg*(Ciss+Crss)；所述Ciss为所述MOS管的输入电容，所述Crss为所述MOS管的米勒电容，所述Rg为所述第一电阻。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，在高边驱动芯片驱动容性负载的电路中，增设了用于产生PWM波的PWM产生模块，并利用该PWM产生模块产生的PWM波使能高边驱动芯片。高边驱动芯片内部的MOS管在该PWM波的作用下，处于周期性的开通与关闭的状态。由于米勒电容的影响，MOS管的源极与漏极之间的阻抗Rds在一段时间内会比较大，较大的Rds的存在，可有效地减小电路接通瞬间电流的大小，从而抑制电路接通瞬间容性负载所带来的冲击电流，达到过流保护的目的。

另外，所述过流保护电路还包括电压监测模块；所述电压监测模块分别连接所述容性负载及所述PWM产生模块；所述电压监测模块采集所述容性负载的电压，并在所述容性负载的电压达到预设的参考电压时，向所述PWM产生模块输出控制信号；所述PWM产生模块接收所述控制信号，并向所述使能端输出高电平信号。提供了一种控制PWM波输出时长的方式。

另外，所述电压监测模块为比较器；其中，所述比较器的第一输入端连接所述容性负载，以采集所述容性负载的电压；所述比较器的第二输入端输入所述参考电压；所述比较器的输出端连接所述PWM产生模块，以向所述PWM产生模块输出所述控制信号。提供了一种判断容性负载的电压是否达到参考电压的方式。

另外，所述过流保护电路还包括一分压电路；所述电压监测模块通过所述分压电路连接所述容性负载。