[实用新型]一种基于BGA的电子器件

说明书

本实用新型提供一种基于BGA的电子器件，涉及电子技术领域。本实用新型提供的电子器件包括的绝缘基板上设置有多个通孔，通孔内填充有导电结构，导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，电子元件与导电结构的一端电连接，绝缘基板的一面上设置有多个导电球，导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，导电球与导电结构的另一端电连接，印刷电路板与导电球电连接；按重量百分比计，室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成。本实用新型的技术方案能够使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种基于BGA的电子器件。

背景技术

为了使电子器件的集成度更高，目前存在一种BGA(Ball GridArray，球栅阵列)封装技术，在基于BGA的电子器件中均采用了“多孔基板-焊锡球”这一结构。这一结构中，基板为绝缘材料，在基板上钻通孔并使用电镀法使通孔金属化满足导电需要，再将焊锡球熔焊在焊盘上形成触点。

发明人发现，在电镀过程中，首先在通孔的内壁上进行种子层的附着，然后再在种子层上电镀铜，以使通孔导电，工艺较复杂，且成本高。

实用新型内容

本实用新型提供一种基于BGA的电子器件，可以使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。

第一方面，本实用新型提供一种基于BGA的电子器件，采用如下技术方案：

一种基于BGA的电子器件包括：

绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔内填充有导电结构，所述导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；

至少一个电子元件，所述电子元件与所述导电结构的一端电连接；

多个导电球，所述导电球位于所述绝缘基板的一面上，且与所述导电结构的另一端电连接，所述导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；

印刷电路板，所述印刷电路板与所述导电球电连接；

其中，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成；所述低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，所述高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上。

可选地，所述低熔点金属为镓单质或者镓铟合金。

可选地，所述低熔点金属为镓铟合金，按重量百分比计，所述镓铟合金由75％～85％镓和15％～25％铟组成。

可选地，所述高熔点粉末为高熔点金属粉末，所述高熔点金属粉末包括镍粉、铁粉中的一种或两种。

可选地，所述高熔点金属粉末为镍粉，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由75％～83％的低熔点金属，以及17％～25％的镍粉部分合金化形成。

可选地，所述高熔点金属粉末的粒径为10nm～1μm。

第二方面，本实用新型实施例提供一种基于BGA的电子器件的制作方法，采用如下技术方案：

所述制作方法包括：

步骤S1、按重量百分比计，称取70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末，并使二者进行部分合金化形成室温自固化导电复合材料，其中，所述低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，所述高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上；

步骤S2、提供一绝缘基板，在所述绝缘基板上形成多个通孔；

步骤S3、在所述通孔内填充室温自固化导电复合材料，且在所述通孔一端使室温自固化导电复合材料堆积成球形；