[实用新型]一种加强型光伏二极管用引线框架排有效
申请号: | 201821034838.2 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN208352299U | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 黄斌;王锋涛;谢锐;宋佳俊 | 申请(专利权)人: | 四川金湾电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 代述波 |
地址: | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线框架 定位板 工艺孔 散热部 本实用新型 光伏二极管 一体连接 定位孔 冲切 凸起 载片 半导体元器件 对称设置 生产效率 塑封体 预切槽 分隔 相通 生产 | ||
本实用新型涉及一种加强型光伏二极管用引线框架排,属于半导体元器件技术领域,包括多个引线框架,所述多个引线框架串联连接;其特征在于:所述引线框架包括定位板、与定位板相连的载片;所述定位板上开设有定位孔,定位板上开设有两个对称设置的切断工艺孔;所述两个切断工艺孔均与定位孔相通;所述切断工艺孔将定位板分隔为上部的连接部和下部的散热部;所述连接部的两侧具有凸起,相邻连接部的凸起一体连接;所述散热部与载片一体连接;所述连接部与散热部之间开设有两个预切槽。本实用新型的有益效果是:显著减少冲切量,减少冲切时的振动,避免引线框架与塑封体之间产生振动开裂,提高产品的生产质量,提高生产效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体元器件技术领域,特别是涉及一种加强型光伏二极管用引线框架排。
背景技术
引线框架是半导体分立器件和集成电路封装的主要材料之一。引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。目前,半导体电子元器件通常由芯片、塑封体件、金丝或者铝丝、引线框架组装而成,为了提高自动化生产效率,引线框架一般由多个相同的铜基单元排列而成,而每个铜基单元包括依次连接成一体的散热片、载片、内引线和外引线,载片用于承载电子元器件的芯片,芯片通过塑封体件包封后封装在载片上。
为了提高生产效率,常将多个引线框架组合制成引线框架排,当塑封完成后,需要将多个引线框架冲切成单个引线框架,常采用冲切模具冲切。但是由于多个引线框架连接部较厚,在冲切过程中会产生较大的振动,常常使得塑封体与引线框架之间产生振动开裂,增大了不良产品率,工作效率低。针对上述问题,本申请提出了解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种减小冲切时振动开裂的加强型光伏二极管用引线框架排。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种加强型光伏二极管用引线框架排,包括多个引线框架,所述多个引线框架串联连接;其特征在于:所述引线框架包括定位板、与定位板相连的载片;所述定位板上开设有定位孔,定位板上开设有两个对称设置的切断工艺孔;所述两个切断工艺孔均与定位孔相通;所述切断工艺孔将定位板分隔为上部的连接部和下部的散热部;所述连接部的两侧具有凸起,相邻连接部的凸起一体连接;所述散热部与载片一体连接;所述连接部与散热部之间开设有两个预切槽,所述预切槽自切断工艺孔的孔壁延伸至定位板的一侧。
优选地,所述切断工艺孔的孔壁与定位板侧面之间的距离为0.5mm~0.8mm。
优选地,所述预切槽倾斜设置。
优选地,所述预切槽为V形槽。
优选地,每个所述载片的下部设有引脚,引脚的根部设置有中筋,即中筋在引脚上的位置靠近载片;相邻所述中筋一体连接。
优选地,所述引脚靠近载片的一端没有与载片直接相连,而是在这一端设有管脚焊台;所述中筋的位置较为靠近载片,中筋与引脚垂直的相连,中筋将引脚上下分为内引脚与外引脚,所述管脚焊台设置在内引脚上。
优选地,所述内引脚与管脚焊台连接的位置设有锁胶孔;每个所述外引脚的下端设有底筋;相邻所述底筋一体连接。
优选地,所述外引脚的厚度为0.5~0.6mm。
优选地,所述引脚设有弯曲部,所述弯曲部设置在中筋下方。
优选地,所述引线框架的材质为铜合金。
本实用新型的有益效果是:在引线框架排塑封之前,在引线框架的定位板上开设预切槽,当引线框架排塑封之后,再采用冲切机沿着预切槽冲切引线框架,显著减少冲切量,减少冲切时的振动,避免引线框架与塑封体之间产生振动开裂,提高产品的生产质量,提高生产效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的