[实用新型]一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜有效
| 申请号： | 201821040152.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208385439U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王洪;胡晓龙;文茹莲 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型金属 掺杂 掺杂金属薄膜 本实用新型 透明导电薄膜 基底材料 薄膜方块电阻 薄膜光电 薄膜光学 高温退火 工艺难度 退火处理 原有设备 透过率 键合 生长 引入 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜，其特征在于：包括新型金属掺杂ITO薄膜和基底材料，所述新型金属掺杂ITO薄膜与基底材料接触，所述新型金属掺杂ITO薄膜包括掺杂金属薄膜和ITO薄膜，所述掺杂金属薄膜和ITO薄膜通过退火处理键合在一起。
2.根据权利要求1所述的一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜，其特征在于：所述ITO薄膜的厚度为80～140nm。
3.根据权利要求1所述的一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜，其特征在于：所述掺杂金属薄膜的厚度为1～3nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821040152.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于GaN材料的RGBY四色LED
- 下一篇：一种发光二极管
