[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

三个端子；

所述三个端子中的两个端子之间的漂移区，其中所述漂移区包括上漂移层、下漂移层、以及所述上漂移层和所述下漂移层之间的隐埋结层，

其中所述上漂移层和所述下漂移层具有第一掺杂类型，并且

其中所述隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，所述第一材料具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且所述第二材料具有所述第一掺杂类型并且具有与所述上漂移层和所述下漂移层不同的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述漂移区包括多个隐埋结层，在相邻隐埋结层之间具有中间漂移层，其中每个隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，所述第一材料具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且所述第二材料具有所述第一掺杂类型并且具有与所述上漂移层和所述下漂移层不同的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于与所述多个隐埋结层对应的所述散布图案被对准。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于所述散布图案包括由所述第二材料分开的所述第一材料的间隔岛。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于所述散布图案包括由所述第二材料分开的所述第一材料的间隔线。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于所述有源区内的散布的间距是恒定的，并且其中所述有源区之外的散布的间距相对于所述有源区内的散布的间距增加。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于有源区之外的散布的间距作为距所述有源区的距离的函数不断增加。

8.一种半导体器件，其特征在于包括：

具有第一掺杂类型的下漂移区；

在所述下漂移区上方的结层，其中所述结层包括第一材料和第二材料的散布图案，所述第一材料具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且所述第二材料具有所述第一掺杂类型并且具有与所述下漂移区不同的掺杂浓度；和

在所述结层上方的上漂移区，所述上漂移区具有所述第一掺杂类型并且具有与所述第一材料不同的掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征还在于多个结层，在相邻隐埋结层之间具有中间漂移区，其中每个隐埋结层包括所述第一材料和所述第二材料的散布图案。

10.根据权利要求8-9中任一项所述的半导体器件，其特征在于所述结层是通过植入所述第一材料的间隔的散布并且然后在所述间隔的散布周围植入所述第二材料来形成的。

11.根据权利要求8-9中任一项所述的半导体器件，其特征在于所述结层是通过植入所述第一材料和所述第二材料来形成的，并且其中形成所述上漂移区包括应用外延生长工艺。