[实用新型]一种紫外LED垂直结构芯片有效
| 申请号： | 201821048062.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208608218U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王润;赵韦人 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32;H01L23/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 发光外延层 背离 柱状 垂直结构芯片 紫外LED芯片 紫外LED 反射层 多量子阱有源层 本实用新型 电子阻挡层 衬底表面 出光效率 光线散射 散热效果 外界空气 全反射 相邻柱 垂直 贯通 | ||
1.一种紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，包括：
第一衬底；
位于所述第一衬底一表面的发光外延层，所述发光外延层包括：位于所述第一衬底表面的N型外延层，位于所述N型外延层背离所述第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直所述N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；
位于所述发光外延层背离所述第一衬底一侧的反射层；
以及，位于所述第一衬底背离所述发光外延层一侧的N型电极结构，及位于所述反射层背离所述第一衬底一侧的P型电极结构。
2.根据权利要求1所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，位于所述第一衬底与所述发光外延层之间还包括过渡结构层，所述过渡结构层包括：
位于所述第一衬底表面的缓冲层；
以及，位于所述缓冲层背离所述第一衬底一侧的超晶格层。
3.根据权利要求2所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，所述缓冲层为BN缓冲层。
4.根据权利要求1所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，所述柱状外延还包括位于所述P型外延层背离所述第一衬底一侧的P型覆盖层。
5.根据权利要求1所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，位于所述反射层与所述发光外延层之间还包括透明导电层。
6.根据权利要求1所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，位于所述反射层与所述P型电极结构之间还包括导电薄膜层。
7.根据权利要求6所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，所述导电薄膜层为石墨烯导电薄膜层。
8.根据权利要求1所述的紫外LED垂直结构芯片，其特征在于，所述N型电极结构包括：
位于所述第一衬底背离所述发光外延层一侧的N型欧姆接触层，其中，所述N型欧姆接触层通过穿透所述第一衬底的至少一个电极栓与所述N型外延层相连通，且所述电极栓的侧壁具有隔离层；
以及，位于所述N型欧姆接触层背离所述第一衬底一侧的N型电极；
及，所述P型电极结构包括：
位于所述反射层背离所述第一衬底一侧的P型欧姆接触层；
以及，位于所述P型欧姆接触层背离所述第一衬底一侧的P型电极。
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