[实用新型]IGBT驱动电路有效
| 申请号： | 201821050979.3 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN208299771U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 黄炜钦;黄亚军;黎忠瑾 | 申请（专利权）人： | 深圳宝铭微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 苏胜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 驱动芯片 绝缘栅双极型功率管 二极管 一端连接 光电耦合器 电源芯片 电容 驱动输出端口 阴极 本实用新型 集电极电压 输入端并联 阳极 端口连接 工作稳定 过流保护 接地端口 输出端口 发射极 集电极 输入端 监视 | ||
1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：电源芯片、驱动芯片、光电耦合器、绝缘栅双极型功率管、第一二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；
所述第一电容并联在所述电源芯片的输入端；所述电源芯片的输出端与所述驱动芯片连接；
所述驱动芯片的集电极电压监视端口连接所述第一二极管的阳极；所述第一二极管的阴极连接所述绝缘栅双极型功率管的集电极；所述绝缘栅双极型功率管的栅极分别连接所述第一电阻的一端以及所述第二电阻的一端；所述绝缘栅双极型功率管的发射极分别连接所述第二电阻的另一端以及所述驱动芯片的接地端口；所述第一电阻的另一端连接所述驱动芯片的驱动输出端口；
所述光电耦合器的输入端与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端连接连接所述驱动芯片的过流保护输出端口。
2.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括：第二二极管；所述第二二极管的阳极连接所述绝缘栅双极型功率管的发射极；所述第二二极管的阴极连接所述绝缘栅双极型功率管的集电极。
3.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括：第一稳压管和第二稳压管；所述第一稳压管的阳极连接所述第二稳压管的阳极；所述第一稳压管的阴极连接所述绝缘栅双极型功率管的栅极；所述第二稳压管的阴极连接所述绝缘栅双极型功率管的发射极。
4.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括：第二电容；所述第二电容的一端连接所述驱动芯片的第一电源端口，所述第二电容的另一端连接所述驱动芯片的第二电源端口。
5.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括：第三电容；所述第三电容的一端连接所述驱动芯片的接地端口，所述第三电容的另一端连接所述驱动芯片的第二电源端口。
6.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括：第三二极管；所述第三二极管的阴极连接所述驱动芯片的接地端口；所述第三二极管的阳极连接所述驱动芯片的第二电源端口。
7.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述光电耦合器的另一输入端与所述电源芯片的电压输出端口连接。
8.根据权利要求1-7中的任意一项所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述电源芯片为QA04芯片。
9.根据权利要求1-7中的任意一项所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片为EXB841芯片。
10.根据权利要求1-7中的任意一项所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述绝缘栅双极型功率管为N型沟道绝缘栅双极型功率管。
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