[实用新型]异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201821052247.8 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN208580755U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 董刚强 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0725;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 透明导电层 单晶硅片 异质结太阳能电池 电池侧面 钝化层 本征 堆叠 本实用新型 载流子复合 载流子收集 非晶硅层 依次层叠 侧面 场钝化 钝化 覆盖 | ||
1.一种异质结太阳能电池，包括依次层叠的第一透明导电层、第一掺杂层、第一本征钝化层、单晶硅片、第二本征钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层，其特征在于，所述第一透明导电层进一步覆盖层叠的所述第一掺杂层、所述第一本征钝化层和所述单晶硅片的侧面；
其中，所述单晶硅片为n型时，所述第一掺杂层为n型掺杂层；所述单晶硅片为p型时，所述第一掺杂层为p型掺杂层。
2.一种异质结太阳能电池，包括依次层叠的第一透明导电层、第一掺杂层、第一本征钝化层、单晶硅片、第二本征钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层，其特征在于，所述第一透明导电层、所述第一掺杂层、所述第一本征钝化层进一步覆盖所述单晶硅片的侧面。
3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层导电类型相反，为n型掺杂层或p型掺杂层。
4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂层为磷掺杂的非晶硅或微晶硅层；和/或所述p型掺杂层为硼掺杂的非晶硅或微晶硅层。
5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层和第二透明导电层材料包括ITO、AZO或BZO中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层的厚度为60-120nm。
7.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括银电极和/或铝电极。
8.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅片为n型单晶硅片或p型单晶硅片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新（北京）科技有限公司，未经君泰创新（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821052247.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种切半电池片光伏组件
- 下一篇：一种叠层串联太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
