[实用新型]包括成像像素的阵列的图像传感器

权利要求书

1.一种包括成像像素的阵列的图像传感器，其特征在于，每个成像像素包括：

光电二极管；

浮动扩散区；

电荷存储区，所述电荷存储区插置在所述光电二极管和所述浮动扩散区之间；

插置在所述光电二极管和所述电荷存储区之间的第一晶体管和第二晶体管；和

插置在所述电荷存储区和所述浮动扩散区之间的第三晶体管和第四晶体管。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个成像像素的所述第一晶体管具有接收水平转移控制信号的栅极，并且其中每个成像像素的所述第二晶体管具有接收竖直转移控制信号的栅极。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中只有当所述第一晶体管和所述第二晶体管均生效时，电荷才可从所述光电二极管转移到所述电荷存储区。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述图像传感器具有第一列成像像素和第一行成像像素，其中所述第一列中的每个成像像素的所述第一晶体管接收相同的所述竖直转移控制信号，并且其中所述第一行中的每个成像像素的所述第一晶体管接收相同的所述水平转移控制信号。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第三晶体管具有接收附加水平转移控制信号的栅极，并且所述第四晶体管具有接收附加竖直转移控制信号的栅极，并且其中只有当所述第三晶体管和所述第四晶体管均生效时，电荷才从所述电荷存储区转移到所述浮动扩散区。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个成像像素还包括：

电源端子；和

插置在所述光电二极管和所述电源端子之间的第五晶体管和第六晶体管，其中当所述第五晶体管和所述第六晶体管生效时，所述光电二极管耦接到所述电源端子。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个成像像素还包括：

电源端子；和

耦接在所述电源端子和节点之间的第五晶体管，所述节点插置在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，其中当所述第一晶体管和所述第五晶体管生效时，所述光电二极管耦接到所述电源端子。

8.一种包括成像像素的阵列的图像传感器，其特征在于，每个成像像素包括：

光电二极管；

浮动扩散区；和

插置在所述光电二极管和所述浮动扩散区之间的第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管直接耦接到所述第二晶体管而没有任何中间结构。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中每个成像像素的所述第一晶体管具有接收水平转移控制信号的栅极，其中每个成像像素的所述第二晶体管具有接收竖直转移控制信号的栅极，并且其中只有当所述第一晶体管和所述第二晶体管均生效时，电荷才从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区。

10.一种包括成像像素的阵列的图像传感器，所述成像像素以行和列布置，其特征在于，每个成像像素定位在相应的行和相应的列中，并且其中每个成像像素包括：

光电二极管；

浮动扩散区；和

插置在所述光电二极管和所述浮动扩散区之间的第一晶体管和第二晶体管，其中每个成像像素的所述第一晶体管具有接收与所述成像像素的所述相应的行相关联的水平转移控制信号的栅极，并且其中每个成像像素的所述第二晶体管具有接收与所述成像像素的所述相应的列相关联的竖直转移控制信号的栅极。