[实用新型]一种便于测试电阻的半导体晶圆凸块有效
| 申请号： | 201821080628.7 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN208521899U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 杨雪松;王倩;蔡道库;袁泉;孙健 | 申请（专利权）人： | 江苏纳沛斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 胶质 防护膜 上表面 硅片底座 铜凸块 芯片垫 凸块 半导体晶圆 测试电阻 连接方式 银锡合金 镍层 本实用新型 电阻测量 电阻测试 电阻检测 固定夹具 侧面 多触点 精准度 检测 底端 底面 压铸 焊接 切割 贯穿 | ||
【权利要求书】：
1.一种便于测试电阻的半导体晶圆凸块，包括硅片底座（1），其特征在于：所述硅片底座（1）的上表面设置有芯片垫（2），所述芯片垫（2）的上表面设置有胶质防护膜（3），所述胶质防护膜（3）的底面与硅片底座（1）与芯片垫（2）的上表面都接触。
2.根据权利要求1所述的一种便于测试电阻的半导体晶圆凸块，其特征在于：所述胶质防护膜（3）的上方设置有镍层（4），所述镍层（4）的底端贯穿胶质防护膜（3）的上表面到达胶质防护膜（3）的下方。
3.根据权利要求2所述的一种便于测试电阻的半导体晶圆凸块，其特征在于：所述镍层（4）的底面与芯片垫（2）的上表面接触，所述镍层（4）的上表面设置有金层（5）。
4.根据权利要求3所述的一种便于测试电阻的半导体晶圆凸块，其特征在于：所述金层（5）的上表面设置有铜凸块（6），所述铜凸块（6）的外侧表面对称设置有凹槽（7）。
5.根据权利要求4所述的一种便于测试电阻的半导体晶圆凸块，其特征在于：所述铜凸块（6）的顶端设置有银锡合金（8），所述银锡合金（8）的外侧表面对称设置有定位槽（9）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
