[实用新型]一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器

权利要求书

1.一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括多阶射频整流器本体，其特征是，包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元；其中n为大于等于1的正整数；

基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入正端接正射频信号RF+，基本差分整流单元和所有使能差分整流单元的差分输入负端接负射频信号RF-；每个使能差分整流单元的使能端接使能信号；

基本差分整流单元的输出端接第一使能差分整流单元的输入端，前一使能差分整流单元的输出端接后一使能差分整流单元的输入端；

第一控制单元的控制端接第一控制信号OCtr₁，第一控制单元的输入端接基本差分整流单元的输出端，第一控制单元的输出端输出整流信号Vout₁；

第i控制单元的控制端接第i控制信号OCtr_i，第i控制单元的输入端接第i-1使能差分整流单元的输出端，第i控制单元的输出端输出整流信号Vout_i，其中i＝2，3，n。

2.根据权利要求1所述的一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，其特征是，基本差分整流单元由NMOS管MN₁、MN₂，PMOS管MP₁、MP₂，以及电容C₁、C₂、Co₁构成；

NMOS管MN₁的漏极、PMOS管MP₁的漏极、NMOS管MN₂的栅极、PMOS管MP₂的栅极和电容C₁的下极板相连，电容C₁的上极板形成基本差分整流单元的差分输入正端；

NMOS管MN₂的漏极、PMOS管MP₂的漏极、NMOS管MN₁的栅极、PMOS管MP₁的栅极和电容C₂的上极板相连，电容C₂的下极板形成基本差分整流单元的差分输入负端；

NMOS管MN₁的源极和NMOS管MN₂的源极接地；PMOS管MP₁的源极、PMOS管MP₂的源极和电容Co₁的上极板相连后，形成基本差分整流单元的输出端；电容Co₁的下极板接地。

3.根据权利要求1所述的一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，其特征是，每个使能差分整流单元由NMOS管MN₃、MN₄、SW₁，PMOS管MP₃、MP₄，以及电容C₃、C₄、Co₂构成；

NMOS管MN₃的漏极、PMOS管MP₃的漏极、NMOS管MN₄的栅极、PMOS管MP₄的栅极和电容C₃的下极板相连，电容C₃的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；

NMOS管MN₄的漏极、PMOS管MP₄的漏极、NMOS管MN₃的栅极、PMOS管MP₃的栅极和电容C₄的上极板相连，电容C₄的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；

NMOS管MN₃的源极、NMOS管MN₄的源极和NMOS管SW₁的源极相连；NMOS管SW₁的漏极形成使能差分整流单元的输入端；NMOS管SW₁的栅极形成使能差分整流单元的使能端；

PMOS管MP₃的源极、PMOS管MP₄的源极和Co₂的上极板相连后，形成使能差分整流单元的输出端；Co₂的下极板接地。

4.根据权利要求1所述的一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，其特征是，每个控制单元由PMOS管MS₁构成；PMOS管MS₁的栅极形成控制单元的控制端，PMOS管MS₁的源极形成控制单元的输入端，PMOS管MS₁的漏极形成控制单元的输出端。