[实用新型]一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构

权利要求书

1.一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，包括GaAs衬底(100)，其特征在于：所述GaAs衬底(100)上依次设有缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n-AlInP限制层(103)、n-AlGaInP波导层(104)、不对称谐振隧道(105)、非掺AlInP限制层Ⅰ(106)、MQW有源层(107)、非掺AlInP限制层Ⅱ(108)、p-AlGaInP波导层(109)、p-AlInP限制层(110)和p-GaP电流扩展层(111)，所述不对称谐振隧道(105)材料为(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P。

2.根据权利要求1所述的一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，其特征在于：所述缓冲层(101)厚度为0.5μm，缓冲层(101)掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)厚度为1.6μm，AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3，所述n-AlInP限制层(103)厚度为0.5μm，n-AlInP限制层(103)掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3，所述n-AlGaInP波导层(104)厚度为0.1μm，n-AlGaInP波导层(104)掺杂浓度为3×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，其特征在于：所述不对称谐振隧道(105)厚度为0.1μm，所述非掺AlInP限制层Ⅰ(106)厚度为10nm，所述非掺AlInP限制层Ⅱ(108)厚度为10nm。

4.根据权利要求1所述的一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，其特征在于：所述MQW有源层(107)包括30层量子阱(107-1)和30层量子垒(107-2)，量子垒(107-2)的材料为(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P，量子阱(107-1)的材料为(Al0.34Ga0.66)0.5In0.5P。

5.根据权利要求1或4所述的一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，其特征在于：所述MQW有源层(107)厚度为600nm，每一层量子阱(107-1)和量子垒(107-2)的厚度均为10nm。

6.根据权利要求1所述的一种提高黄绿光LED内量子效率的外延结构，其特征在于：所述p-AlGaInP波导层(109)厚度0.1μm，p-AlGaInP波导层(109)掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3，所述p-AlInP限制层(110)厚度为0.8μm，p-AlInP限制层(110)掺杂浓度为6×10¹⁷cm^-3，所述p-GaP电流扩展层(111)厚度为5μm，p-GaP电流扩展层(111)掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。