[实用新型]一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器

权利要求书

1.一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器，其特征在于，包括：上包层、上波导层、下波导层和下包层；其中，下包层、下波导层、上波导层和上包层从下往上设置；

所述下波导层或者下包层内具有周期分布的第一光栅，所述上波导层或者上包层内具有周期分布的第二光栅，所述第二光栅与所述第一光栅具有相互正交的排布方式。

2.根据权利要求1所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述第一光栅的光栅周期分布方向或所述第二光栅的光栅周期分布方向沿谐振腔方向，所述光栅周期分布方向垂直于谐振腔方向的光栅用于选择横模；相应地，所述第二光栅的光栅周期分布方向或者所述第一光栅的光栅周期分布方向垂直于谐振腔方向，所述光栅周期分布方向沿谐振腔方向的光栅用于选择纵模。

3.根据权利要求2所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述光栅周期分布方向沿谐振腔方向的光栅为多段DFB强折射率光栅。

4.根据权利要求2所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述光栅周期分布方向沿谐振腔方向的光栅为单段DFB强折射率光栅。

5.根据权利要求2所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述基于正交光栅结构的单纵横模激光器的脊条宽度为1.5～8um，长度为0.5～2mm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述第一光栅为折射率光栅或者吸收折射率复合光栅或者吸收增益光栅，所述第二光栅为折射率光栅或者吸收折射率复合光栅或者吸收增益光栅。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述单纵横模激光器还包括有源区，所述有源区位于下波导层和上波导层之间。

8.根据权利要求7所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述有源区具有压缩应变量子阱和拉伸应变量子垒交替混合的多层量子阱结构。

9.根据权利要求8所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述压缩应变量子阱的单层厚度为5～7.5nm，所述拉伸应变量子垒的单层厚度为5～10nm。

10.根据权利要求2至5中任一项所述的单纵横模激光器，其特征在于，所述单纵横模激光器还包括衬底、缓冲层和吸收层；衬底位于缓冲层下侧，缓冲层位于下包层下侧；

所述吸收层位于上包层和上波导层之间，或者位于下包层和下波导层之间，或者位于上波导层内，或者位于下波导层内；

当所述吸收层位于上波导层内或者位于下波导层内时，所述光栅周期分布方向沿谐振腔方向的光栅位于吸收层中。