[实用新型]具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池

说明书

本实用新型涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构，沿硅基底1厚度方向自上而下依次包括：沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成，第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列；所述的电池电极包括正电极和负电极，正电极与第二掺杂区域接触，负电极第一掺杂区域接触；该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现，减少电池组件的工艺难度。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池的电池结构。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

指状交叉背接触电池，又称为IBC电池。其中IBC是指Interdigitated backcontact指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF；并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

目前使用的指状交叉背接触太阳电池的背面结构通常使用贯通式的p型掺杂区和n型掺杂区，然后使用贯穿式或非贯穿式的电极并结合绝缘材料进行正负极绝缘，因此在制备IBC 电池时，有时需要额外进行绝缘体的制备过程，并且由于在硅片厚度方向上会有正负电极共存的现象，或者在硅片厚度方向上有n型区域和正极共存、p型区域和负极共存的问题，对后期的电池的可靠性有较大的影响，也会在续电池组件的制备中造成较大的焊接困难。

实用新型内容

针对以上问题，本实用新型提供了一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构，可以较好的解决上述问题。提高电池在后期产品的可靠性表现，减少电池组件的工艺难度。

为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是，

一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池，沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成，第一掺杂区域和第二掺杂区域指状交叉排列；所述的电池电极包括正电极和负电极；

所述第一掺杂区域包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述第二掺杂区域包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行；所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接；所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接；在第一贯穿区域方向上，第一垂直区域和第二垂直区域交错排列；

所述正电极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负电极包括负极细栅线和负极连接电极；负极细栅线与第一掺杂区域的第一垂直区域形成接触；正极细栅线与第二掺杂区域的第二垂直区域形成接触；负极连接电极设置在第一贯穿区域内；正极连接电极设置在第二贯穿区域内；正极细栅线和正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负电极包括负极细栅线和负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。

所述第一掺杂区域和第二掺杂区域之间至少部分存在有隔离区域，宽度为2～200um。

所述第二掺杂区域的一个第二垂直区域的宽度与相邻第一掺杂区域的一个第一垂直区域的宽度之和为0.2～5mm，其中第二垂直区域的宽度和第一垂直区域的宽度比值为1～20。

所述第一掺杂区域的第一贯穿区域宽度为0.08～5mm；所述第二掺杂区域的第二贯穿区域的宽度为0.08～5mm。