[实用新型]一种指状交叉背接触太阳电池

说明书

本实用新型涉及一种指状交叉背接触太阳电池电池结构，沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、n/p型正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；背面掺杂层由n型掺杂区域和p型掺杂区域组成，n型掺杂区域和p型掺杂区域呈指状交叉形式交错排列；的电池电极包括正电极和负电极，正电极与p型掺杂区域接触，负电极设置在n型掺杂区域接触。该结构可以较好避免了在空间上造成漏电流的可能。提高电池在后期产品的可靠性表现，减少电池组件的工艺难度。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种指状交叉背接触太阳电池的电池结构。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

指状交叉背接触电池，又称为IBC电池。其中IBC是指Interdigitated backcontact指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF；并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

目前使用的指状交叉背接触太阳电池的背面结构通常使用贯通式的p型掺杂区和n型掺杂区，然后使用贯穿式或非贯穿式的电极并结合绝缘材料进行正负极绝缘，因此在制备IBC电池时，有时需要额外进行绝缘体的制备过程，并且由于在硅片厚度方向上会有正负电极共存的现象，或者在硅片厚度方向上有n型区域和正极共存、p型区域和负极共存的问题，对后期的电池的可靠性有较大的影响，也会在续电池组件的制备中造成较大的焊接困难。

实用新型内容

针对以上问题，本实用新型提供了一种指状交叉背接触太阳电池电池结构，可以较好的解决上述问题。提高电池在后期产品的可靠性表现，减少电池组件的工艺难度。

为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是，

一种指状交叉背接触太阳电池，沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；所述背面掺杂层由n型掺杂区域和p型掺杂区域组成，n型掺杂区域和p型掺杂区域呈指状交叉排列；所述的电池电极包括正电极和负电极；

所述n型掺杂区域包括n型贯穿区域和n型垂直区域，所述p型掺杂区域包括p型贯穿区域和p型垂直区域；n型贯穿区域和p型贯穿区域相互平行；所述n型垂直区域和n型贯穿区域相互垂直并连接；所述p型垂直区域和p型贯穿区域相互垂直并连接；在n型贯穿区域方向上，n型垂直区域和p型垂直区域交错排列；

所述正电极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负电极包括负极细栅线和负极连接电极；负极细栅线与n型掺杂区域的n型垂直区域形成接触；正极细栅线与p型掺杂区域的p型垂直区域形成接触；负极连接电极设置在n型贯穿区域内；正极连接电极设置在p型贯穿区域内；正极细栅线和正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负电极包括负极细栅线和负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。

所述p型掺杂区域的一个p型垂直区域的宽度与相邻n型掺杂区域的一个n型垂直区域的宽度之和为0.2～5mm，其中p型垂直区域的宽度和n型垂直区域的宽度比值为1～20。

所述n型掺杂区域的n型贯穿区域宽度为0.08～5mm；所述p型掺杂区域的p型贯穿区域的宽度为0.08～5mm。

所述正极细栅线由银、铝、铜或镍中的一种或多种组成，正极细栅线的宽度为20um～200um；所述负极细栅线由银、铜和镍中的一种或多种组成，负极细栅线的宽度为20um～200um。