[实用新型]一种ESD保护电路及电子装置

说明书

本实用新型公开了一种ESD保护电路及电子装置，在供电电源的供电端至接地端之间具有正向静电时，正向静电的电流经由第一正向低压二极管和高压二极管流向接地端；及在供电电源的供电端至接地端之间具有负向静电时，负向静电的电流经由高压二极管流和第二反向低压二极管流向供电端；由于双向导通模块的寄生电容小于高压二极管形成的寄生电容，及双向导通模块的寄生电容与高压二极管形成的寄生电容为串联关系，因此ESD保护电路总的寄生电容较小，以提高ESD保护电路的带宽；同时由于耐高压的高压二极管存在，使得ESD保护电路的耐高压性能优异。

技术领域

本实用新型涉及静电防护技术领域，更为具体的说，涉及一种ESD保护电路及电子装置。

背景技术

ESD(Electro-Static discharge，静电放电)电路是半导体集成电路中极为重要的部分。其主要负责保护芯片内部的器件不受ESD的损伤。随着应用场景的逐步复杂以及人们对ESD性能要求也不断提高，例如在需要进行高压短路保护的高压、高速模拟开关应用场景下，以带有过压保护的USB(Universal Serial Bus，通用串行总线)开关为例，其一方面允许外部端口直接短路到高压，例如20V，另一方面，其传输USB高速数据要求整个引脚上的寄生电容小于4pF。而现有一些高压ESD保护电路的方案，其被保护端口到电源的接地端之间存在着较大的寄生电容，这会影响到高速端口的信号完整性，无法满足高速信号传输的应用场景。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种ESD保护电路及电子装置，由于双向导通模块的寄生电容小于高压二极管形成的寄生电容，及双向导通模块的寄生电容与高压二极管形成的寄生电容为串联关系，因此ESD保护电路总的寄生电容较小，以提高ESD保护电路的带宽；同时由于耐高压的高压二极管存在，使得ESD保护电路的耐高压性能优异。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种ESD保护电路，连接于供电电源与被保护电路之间，所述ESD保护电路包括：

高压二极管和双向导通模块，所述双向导通模块包括第一正向低压二极管和第一反向低压二极管；

所述第一正向低压二极管的阳极与所述第一反向低压二极管的阴极均连接至所述供电电源的供电端，所述第一正向低压二极管的阴极与所述第一反向低压二极管的阳极均连接至所述高压二极管的阴极，所述高压二极管的阳极连接至所述供电电源的接地端；

其中，所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压，且所述双向导通模块的寄生电容小于所述高压二极管形成的寄生电容。

可选的，所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管的相连结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的N型埋层；

位于所述N型埋层上的第一P型注入层和第二P型注入层；

位于所述第一P型注入层上的第一N阱和位于所述第二P型注入层上的第二N阱；

以及，位于所述第一N阱上的第一P+注入层和位于所述第二N阱上的第二P+注入层；

其中，所述第一P+注入层与所述第二N阱相连且连接至所述供电端，所述第一N阱、所述第一P型注入层、所述第二P+注入层、所述第二P型注入层与所述N型埋层相连且连接至所述高压二极管的阴极。

可选的，所述第一正向低压二极管和所述第一反向低压二极管相同。

可选的，所述双向导通模块还包括：

第二正向低压二极管至第N正向低压二极管，N为不小于2的整数，所述第二正向低压二极管至所述第N正向低压二极管的反向击穿电压均小于所述高压二极管的反向击穿电压；