[实用新型]显示基板、显示面板和显示终端有效
申请号: | 201821098175.0 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208489196U | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 王燕锋;崔永鑫;刘成;胡江平 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电极 子像素电极 显示面板 嵌入 显示基板 显示终端 跌落 本实用新型 缓冲效果 接触不良 连接方式 使用寿命 应力释放 逐渐缩小 结合力 抗弯曲 外轮廓 撞击力 子像素 传递 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
漏电极;
子像素电极,嵌入所述漏电极并与所述漏电极连接,且嵌入所述漏电极内的子像素电极为外轮廓尺寸自所述子像素电极至所述漏电极逐渐缩小至零的结构。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,嵌入所述漏电极内的子像素电极的外轮廓尺寸自所述子像素电极至所述漏电极连续渐变。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,嵌入所述漏电极内的子像素电极为锥体结构。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,嵌入所述漏电极内的子像素电极为棱锥结构或圆锥体结构。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,嵌入所述漏电极内的子像素电极为三棱锥结构。
6.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,嵌入所述漏电极内的子像素电极的侧壁相对于所述显示基板的衬底基板倾斜的角度为30°-80°。
7.如权利要求1-6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述子像素电极嵌入所述漏电极的深度为200nm-300nm。
8.如权利要求1-6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述子像素电极除与所述漏电极嵌入连接之外,所述子像素电极还与所述漏电极的上表面相接触。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
显示基板,包括漏电极、子像素电极及像素限定层;嵌入所述漏电极内的子像素电极为外轮廓尺寸自所述子像素电极至所述漏电极逐渐缩小至零的结构;所述像素限定层形成于所述子像素电极上且设有开口;
子像素,形成于所述像素限定层的开口内;及
封装结构,形成于所述子像素上以用于封装所述子像素。
10.一种显示终端,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的