[实用新型]一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线有效

专利信息
申请号: 201821099978.8 申请日: 2018-07-12
公开(公告)号: CN209183723U 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 郑宏兴;宋志伟;王蒙军;李尔平 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q9/30
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 张国荣
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 介质谐振器 介质基板 单极子 介质谐振器天线 共面波导馈电 超宽带 低剖面 嵌入式 分立 全向 本实用新型 等边三角形 嵌入式安装 辐射效率 工作频段 天线覆盖 同轴接头 微带馈线 终端连接 地平面 激励源 凹陷 上端 减小 两层 下层 嵌入 天线 对称
【权利要求书】:

1.一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线,其特征在于,包括上层介质谐振器、下层介质谐振器、矩形单极子、左侧地平面矩形凹陷、右侧地平面矩形凹陷、左侧地平面、右侧地平面、介质基板、共面波导左侧缝隙、共面波导右侧缝隙,介质基板包含介质基板背面、介质基板正面;

所述上层介质谐振器、下层介质谐振器为尺寸相同的等边三角形,上层介质谐振器、下层介质谐振器与介质基板的厚度相同;所述介质基板上部开槽,下层介质谐振器完全嵌入介质基板内部;所述上层介质谐振器正对叠放于下层介质谐振器正上方并与之对齐,所述矩形单极子印制于介质基板正面,并部分位于上层介质谐振器与下层介质谐振器之间,矩形单极子的另一端与直微带馈线相连接;所述直微带馈线从矩形单极子的一侧的中部竖直延伸到介质基板的边缘位置;介质基板的下部两侧沿介质基板的边缘部分分别设置有沿直微带馈线对称的左侧地平面和右侧地平面,左侧地平面和右侧地平面的上部与直微带馈线的上部两侧之间分别形成左侧地平面矩形凹陷、右侧地平面矩形凹陷,左侧地平面和右侧地平面的下部与直微带馈线的下部两侧之间分别形成共面波导左侧缝隙、共面波导右侧缝隙;

上层介质谐振器、下层介质谐振器形状为尺寸相同的等边三角形,介电常数均为20,边长为16.45mm,厚度为0.762mm;

介质基板为矩形,介电常数为3,介质基板尺寸为Ls=33.6mm,Ws=17.6mm,厚度为0.762mm。

2.根据权利要求1所述的一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线,其特征在于,矩形单极子尺寸为6mm×5.7mm。

3.根据权利要求1所述的一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线,其特征在于,左侧地平面矩形凹陷、右侧地平面矩形凹陷尺寸均为0.3mm×6.3mm。

4.根据权利要求1所述的一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线,其特征在于,左侧地平面、右侧地平面尺寸均为7.5mm×14.5mm。

5.根据权利要求1所述的一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线,其特征在于,共面波导左侧缝隙、共面波导右侧缝隙的宽度为0.4mm,长度为8.2mm。

6.根据权利要求1所述的一种超宽带全向低剖面分立嵌入式介质谐振器天线,其特征在于,直微带馈线的特性阻抗为50Ω,其顶端连接矩形单极子,其终端接同轴接头。

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